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光刻機是晶片製造中最複雜、最昂貴的裝置。晶片製造可以包括多個工藝，如初步氧化、塗光刻膠、曝光、顯影、刻蝕、離子注入。這個過程需要用到的裝置種類繁多，包括氧化爐、塗膠顯影機、光刻機、薄膜沉積裝置、刻蝕機、離子注入機、拋光裝置、清洗裝置和檢測裝置等。在整個半導體晶片製造過程中，光刻是最複雜工藝，光刻工藝的費用約佔晶片製造成本的1/3左右，耗費時間佔比約為40-50%，光刻工藝所需的光刻機是最貴的半導體裝置。
光刻機可分為前道光刻機和後道光刻機。光刻機既可以用在前道工藝，也可以用在後道工藝，前道光刻機用於晶片的製造，曝光工藝極其複雜，後道光刻機主要用於封裝測試，實現高效能的先進封裝，技術難度相對較小。光刻機研發難度大，零部件海外壟斷
光刻機廠商研發費用率高：22年全球前五大半導體裝置廠商的平均研發費用率為11%，其中ASML研發費用率為15%，高於其他裝置廠商。
光刻機零部件供應商遍佈全球，核心零部件來自德國和美國：代表光刻機最高階技術的EUV光刻機裡面有10萬多個零部件，全球超過5000家供應商。整個光刻機中，荷蘭腔體和英國真空佔32%，美國光源佔27%，德國光學系統佔14%，日本的材料佔27%。
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