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1、海外廠商佔據絕對份額，國記憶體儲安全重要性凸顯

存力的底層支撐：半導體儲存器晶片（主流為DRAM+NANDFlash）。存力的體現形式：資料中心+儲存伺服器。

海外巨頭壟斷，國記憶體儲安全重要性日益凸顯。全球DRAM市場幾乎由三星、SK海力士和美光所壟斷，CR3超過95%，全球NAND flash市場由前三大廠商分別為三星、鎧俠和海力士，目前CR3市場份額達65%，CR6市場份額接近95%。

2、國內資料圈龐大，AI驅動“從算力到存力”的長期需求

得益於人工智慧、物聯網、雲端計算等新興技術的快速發展，中國資料正在迎來爆發式增長，驅動儲存裝置在資料中心採購佔比進一步提升。據IDC預測，預計到2025年，中國資料圈將增長至48.6ZB，佔全球資料圈的27.8%，成為全球最大的資料圈。

AI技術革命推動高算力伺服器等基礎設施需求提升，AI伺服器所需的DRAM/NAND分別是常規伺服器的8/3倍。

3、儲存週期拐點已至，庫存改善、價格壓力緩解

美光23Q1存貨環比小幅回落，集邦諮詢預測23Q2DRAM價格跌幅收窄至10%-15%（23Q1為20%），庫存情況改善、價格壓力緩解，儲存行業週期迎來拐點。

4、先進存力的前進方向：存算一體、HBM/DRAM、3DNAND

存算一體：將儲存單元和計算單元合為一體，省去了計算的資料搬運環節，消除由於資料搬運帶來的功耗，提升計算能效。

HBM/DRAM：作為儲存器主流之一的DRAM技術不斷升級，衍生出HBM（高頻寬記憶體），其是一款新型的CPU/GPU記憶體晶片，將多個DDR晶片堆疊後與GPU封裝在一起，實現大容量，高位寬的DDR組合陣列，突破記憶體容量與頻寬瓶頸。

3DNAND（立體堆疊技術）：可以擺脫對先進製程工藝的束縛，不依賴於EUV技術，而快閃記憶體的容量/效能/可靠性也有了保障。

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