國元證券：半導體裝置投資地圖（附下載）

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　　1、回看薄膜工藝龍頭應用材料，其深厚的技術積累已實現全產業鏈薄膜沉積裝置佈局，並結合自身提供的其他裝置可包攬一整段完加工迴圈產線，不光可以提高生產效率、降低機臺間協調誤差，還可以大幅提高價值量。北方華創是我國半導體裝置產品線最多、佈局最廣的龍頭供應商，產品還處於多點開花向系統整合過度階段，目前開發進度最快的是Al互聯PVD工藝，有望實現後道Al互聯線國產替代。

　　2、尺縮縮小趨勢+3D結構化是刻蝕裝置市場需求增長的核心動力。回看刻蝕工藝裝置龍頭泛林半導體，其應收增長軌跡中儲存類業務貢獻最大，邏輯和代工類保持長期穩定增長。

　　中微公司和北方華創是國產刻蝕裝置龍頭，產品實用範圍分別是介質和矽刻蝕。1）目前中微在介質刻蝕進展很快，技術已經進入7/5nm節點。3D NAND和DRAM對高深寬比介質刻蝕裝置需求更大，我們認為隨著以長江儲存+合肥長鑫為代表的儲存晶片產能釋放，將拉動國產介質刻蝕裝置的需求。2）隨著中芯國際14nm先進製程告捷，以及華虹進展飛快，國內邏輯晶片製造將迎來歷史拐點，我們認為以中芯國際+華虹半導體為代表的邏輯晶片產能釋放將拉動國產矽刻蝕裝置的需求。

　　3、EUV技術壁壘極高，短期國產化可能極低。ArF浸入式光刻機市場空間大概50億歐元，可用於生產90-7nm大部分主流製程產品，覆蓋先進和成熟工藝兩大領域。雖然先進製程前道開始匯入EUV裝置，但是同理，中後道也有望升級光刻裝置，使用更多的ArF Im機臺填補EUV裝置侵蝕份額，需求遠高於前道光刻裝置。目前國內在浸入式光刻機領域部分技術有所突破，中短期有望實現整機國產化。

　　隨著工藝節點的推進，為保持較高良率需要新增更多清洗步驟，溼法清洗中的單晶圓清洗技術逐漸成為主流。中芯國際14nm先進製程徹底開啟國產晶片上行空間，之後的技術演進有望推進至7nm節點，清洗裝置需求會持續增長，對國內清洗裝置供應商來說是重大機遇。