串列埠SRAM和並口SRAM的引腳區別

首先來看一下並口和串列埠的區別：

引腳的區別：

  （或其它儲存器）通常有如下的示意圖：

引腳只有SCK,CS#,SI,SO,HOLDB,VCC,VSS不到8個，一般遵循SPI協議，

並口SRAM引腳很多，串列埠SRAM引腳很少。
大部分SRAM是並口（parallel）操作的，也有少部分奇葩是串列埠協議的。並口的SRAM通常有如下的示意圖：

引腳密密麻麻接近50個，包含地址、IO、使能訊號、電源等。
其中地址通常和容量有關係，這裡是1Mb的容量，地址有16個（A15-A0）;
其中IO通常是8的倍數，這裡是16個（IO15-IO0）;
使能訊號CE#，WE#，OE#，BHE#，BLE#，請原諒我用#代替上劃線，上劃線根本無法輸入，MD；
電源訊號：VCC/VSS.

電路分類的區別
並口SRAM是非同步電路，沒有時鐘訊號；
串列埠電路是同步電路，有時鐘訊號。

再來看看並口SRAM的應用場合。

並口SRAM通常速度都比較快，應用在很多高速場合，比如作為CPU的高速緩衝儲存器（Cache），如下圖所示：

處於計算機儲存器金字塔的最頂端，在速度上，SRAM>DRAM>NAND。因為SRAM的操作條件比較簡單，就是簡單的MOS管開啟，相互fighting或者傳輸值的過程，用core電壓就可以實現。而DRAM要產生3v左右的高壓，NAND的操作電壓就更高了。

在面積上，SRAM儲存單元6個管子（6T），相對於DRAM的1T1C以及NAND的1T而言，又是最大的。所以在價格上也是SRAM>DRAM>NAND。

有時候SRAM也會作為暫存器的替代，因為SRAM儲存單元（6個管子）面積相對於暫存器（DFF）要小不少，如果在設計中需要用到幾百Byte，使用暫存器的面積可能比SRAM大上好幾倍。