IS61WV10248EDBLL高速非同步SRAM

美國ISSI儲存器公司的主要產品是高速低功耗SRAM晶片和中低密度DRAM晶片。該公司還設計和銷售NOR快閃記憶體儲存器產品以及高效能模擬和混合訊號積體電路。近年來對複雜半導體儲存器的需求已從個人計算機市場擴充套件到了汽車，通訊和數字消費以及工業和醫療市場。這些儲存產品需要增加記憶體內容，以幫助處理大量資料。 宇芯電子為廣大使用者提供產品解決方案及技術方面支援。接下來介紹一款ISSI具有ECC的1Mx8高速非同步SRAM的一些特徵方面知識.
 
ISSI IS61/64WV10248EDBLL是非常高速，低功耗的1M字乘8位高速 。IS61/64WV10248EDBLL採用ISSI的高效能CMOS技術製造，這種高度可靠的工藝技術與創新的電路設計技術相結合，可生產出效能更高且功耗更低的器件。當CE為高電平（取消選擇）時，器件採用待機模式，在該模式下可以透過CMOS輸入電平來降低功耗。
 
IS61/64WV10248EDBLL採用單電源進行供電，所有輸入均相容TTL。 採用48球微型BGA（6mmx8mm）和44引腳TSOP（II型）封裝。

功能框圖
 

 
特徵
•高速訪問時間：8、10、20ns
•高效能，低功耗CMOS工藝
•多箇中心電源和接地引腳，增強了抗噪能力
•透過CE和OE選項輕鬆擴充套件記憶體
•CE掉電
•完全靜態操作：無需時鐘或重新整理
•TTL相容輸入和輸出
•可用軟體包：
–48球mini BGA（6mmx8mm）
–44引腳TSOP（II型）
•工業和汽車溫度支援
•無鉛
 
 
引腳配置