為應用選擇合適的同步高速SRAM

正確的同步靜態隨機存取儲存器（ ）的選擇對於頻寬要求更高，系統效能更好的網路應用至關重要。系統設計人員需要了解不同同步SRAM技術的特性和優勢，以便為其應用選擇正確的儲存器。
 
決定正確的同步SRAM選擇的一些關鍵因素是密度，等待時間，速度，讀/寫比和功率。透過了解這些因素如何影響效能，可靠性和成本，設計人員可以為其應用選擇最佳的同步SRAM。宇芯電子專注代理銷售SRAM， ，同步SRAM,PSRAM等儲存晶片，提供產品技術支援及解決方案。
 
同步高速SRAM有多種形式，具有不同的效能特徵和優勢。標準同步SRAM通常用於工業電子，儀器儀表和軍事應用。這些裝置通常用作資料緩衝區（臨時儲存），並且可以透過它們的高速，單資料速率（SDR）介面隨機訪問。標準同步突發SRAM非常適合占主導地位的讀取或寫入操作。客戶可以在具有使用者可選的線性和交錯突發模式以及單週期取消選擇（SCD）和雙週期取消選擇（DCD）選項的直通（FT）或流水線（PL）體系結構之間進行選擇。
 
儲存器選擇：關鍵因素
 
選擇同步高速SRAM儲存器的主要考慮因素之一是資料頻寬，資料頻寬隨同步SRAM的不同型別而變化。為了進行計算，已考慮了最大時脈頻率和x36的匯流排寬度。
 
同步SRAM儲存器選擇的另一個因素是功率效率。由於電源電壓較低，與標準同步高速SRAM相比，QDR / DDR器件的功耗更低。表1概述了決定記憶體選擇的其他因素：

 

 
提供了各種各樣的 。透過了解可用的不同型別的記憶體，系統設計人員可以為其應用選擇正確的同步記憶體選項。

VTI 同步SRAM

型號	容量	位寬	溫度	型別	電壓(V)	頻率(MHz)	封裝	包裝	狀態
VTI304NP36TM	4M bit	128K x 36	C,I	Sync Pipe Burst	3.3	250	100TQFP	Tray	MP
VTI304NP18TM	4M bit	256K x 18	C,I	Sync Pipe Burst	3.3	250	100TQFP	Tray	MP
VTI309NP36TM	9M bit	256K x 36	C,I	Sync Pipe Burst	3.3	250	100TQFP	Tray	MP
VTI309NP18TM	9M bit	512K x 18	C,I	Sync Pipe Burst	3.3	250	100TQFP	Tray	MP
VTI318NP36TM	18M bit	512K x 36	C,I	Sync Pipe Burst	3.3	250	100TQFP	Tray	MP
VTI318NP18TM	18M bit	1M x 18	C,I	Sync Pipe Burst	3.3	250	100TQFP	Tray	MP
VTI336NP36TM	36M bit	1M x 36	C,I	Sync Pipe Burst	3.3	250	100TQFP	Tray	MP
VTI336NP18TM	36M bit	2M x 18	C,I	Sync Pipe Burst	3.3	250	100TQFP	Tray	MP