為高效能FPGA平臺選擇合適的儲存器

從純技術角度考慮兩個最廣泛使用的DRAM選項-同步DRAM（ ）和減少延遲的DRAM（RLDRAM）。SDRAM tRC在過去10年中沒有實質性的發展，約為48ns，這與21MT/s的RTR相關。其他基於DRAM晶片的儲存裝置已被設計為以密度為代價提高tRC。例如RLD RAM3的RC為8ns，與125MT/s的RTR相關。從本質上講DRAM晶片是針對涉及確定性計算演算法的順序訪問進行最佳化的，但高頻交易卻無法做到這一點。
 
更好的替代方法是同步SRAM儲存器。儘管基於DRAM晶片的記憶體提供更高的記憶體容量，但它們無法滿足交易平臺快取所要求的延遲和效能。數十年來，SRAM儲存器一直是大多數高效能應用程式的首選儲存器。與一般的基於DRAM晶片的解決方案相比，基於 的解決方案速度提高了24倍。
 
在SRAM儲存器中，QDR SRAM系列可提供世界上任何形式的儲存器中最高的效能。QDR SRAM專門為突發隨機訪問而構建。藉助專用於讀寫的埠，QDR儲存器非常適合平衡的讀寫操作（如訂單簿管理）。賽普拉斯的QDR-IV等最新的QDR SRAM更進一步，並提供了兩個雙向埠。當讀取和寫入的混合不平衡時，這使QDR-IV高效，例如TCP/IP處理查詢和提要處理之類的操作就是這種情況。
 
下表提供了各種核心記憶體技術解決方案的比較：

 
QDR-IV記憶體的RTR為2132MT/s，延遲為7.5ns。考慮到FPGA解決方案的隨機存取效能至關重要，這些儲存器可幫助大幅降低總體交易延遲。該SRAM的高工作頻率和雙埠操作可實現為要求苛刻的網路環境而構建的超低延遲資料包緩衝區。QDR-IV的無與倫比的隨機事務處理率還為需要立即查詢大型表或其他資料結構的自定義應用程式提供了便利。雖然DRAM是用於儲存大量資訊以進行資料記錄的更好的儲存器，但高效能SRAM可以與其結合使用，以儲存計算查詢或快取用於延遲關鍵路徑的資料。
 
除了RTR和延遲優勢之外，許多 還整合了許多新功能，例如用於提高可靠性的糾錯碼（ECC），管芯端接（ODT）和去偏斜訓練，以改善訊號完整性。
 
鑑於可以產生幾納秒的競爭優勢，因此在構建基於FPGA的定製解決方案時，使用的儲存器型別也是至關重要的方面。由於基於QDR的儲存器的固有優勢，許多FPGA供應商正在將QDR儲存器解決方案納入其最新一代的高效能基於FPGA的交易解決方案中。與使用傳統儲存器解決方案的交易者相比，這使使用這些FPGA的交易者具有先發優勢。QDR儲存器得到Altera和Xilinx等領先的FPGA供應商的支援。