非易失性NV-SRAM的應用

NV-SRAM模組不僅可以快速且可靠的儲存資料，而且在封裝技術方面也很有競爭力。這些器件適用於需要安全資料儲存以及幾乎不需要現場維護的場合。
 
因此將比較它需要多長時間來擦除64Kb資料及寫入新資料。最後必須知道製造商提到功耗時並不是使用一致的標準。某些裝置可能指定在Vcc=1.8V下工作，但其資料表提供的卻是Vcc=2.5V。此處所用的數值是資料表中規定的最差情況數值。
 
序列資料快閃記憶體擦除頁/扇區時，需要耗用大量的能量，因為這些操作耗時較長。EEPROM與快閃記憶體使用輪詢(polling)技術而不是等待一段最差情況所需的時間來完成操作，從而減少了兩者的能量要求。資料表沒有清楚顯示當寫入/擦除完成時，寫入/擦除週期中消耗的電流是否自動逐步減少或是否繼續。 
 
通常用於要求維護次數儘可能少，頻繁進行讀/寫操作，並且資料儲存速度是至關重要的系統中。數控銑床就是一個例子。假設機器正在進行銑操作的時候突然斷電。出於安全考慮，需要撤出鑽頭並將其停放在一個安全位置。一旦上電，機器必須記住停止工作的點。有了 NV-SRAM 模組，這一任務是很容易實現的。選擇的保持時間應等於或大於向EEPROM中儲存程式資訊所需的時間。在資料寫入EEPROM之前，仍然需要SRAM充當資料快取。採用這一方案，附加元件的費用通常要超出NV-SRAM模組的成本，並且可靠性較低。
 
在防篡改應用，特別是在PoS終端中，資料記錄非常重要。如今的智慧終端無須經過耗時的遠端伺服器的驗證就能確認付款交易。由於安全資料儲存於終端內部，因此這裡完全依靠單片BGA模組。安全微控制器可以將金鑰存放在lC內部的“安全區”內。然而，仍然需要採取一些額外措施，以防止存放在微控制器之外 中的加密資料被讀取和解碼。目前所能提供的保護措施尚不足以對付那些狡猾的駭客。針對這一問題，也有一些解決方案，例如NaxiDallasSermconductor推出了定製的BA模組，包含安全微控制器、SRAM篡改檢測電路，以及定時和控制功能。