ISSI正規代理高速低功耗SRAM晶片IS62WV102416ALL

ISSI為汽車，數字消費者以及工業和醫療主要市場設計。其主要產品是高速低功耗SRAM晶片和中低密度DRAM儲存器。還設計和銷售NOR快閃記憶體產品以及高效能模擬和混合訊號積體電路。為關鍵市場開發精選的非記憶體產品。為了增加產品的多樣化並提供 ，DRAM和快閃記憶體專業知識相輔相成的產品。其中旗下的IS62WV102416AL在市場上深受各汽車,工業行業的喜愛。
 
描述
ISSI IS62WV102416ALL是高速的16M位靜態RAM，組織為1024K字乘以16位。它主要是使用ISSI高效能CMOS技術所製造出來的。這種可靠的工藝加上創新的電路設計技術就可生產出高效能和低功耗的裝置。
 
當CS1為高電平（取消選擇）或CS2為低電平（取消選擇）或CS1為低電平，CS2為高電平且LB和UBare均為高電平時，器件將處於待機模式，在待機模式下可以透過CMOS輸入電平降低功耗。
 
使用晶片使能和輸出使能輸入可輕鬆擴充套件儲存器。啟用的LOW Write Enable（WE）控制儲存器的寫入和讀取。資料位元組允許訪問高位元組（UB）和低位元組（LB）。該器件採用的是JEDEC標準的48引腳TSOP I型和48引腳Mini BGA（9mm x 11mm）的封裝形式。
 
1Mx16低功耗引腳配置
48針迷你BGA（9mmx11mm）

 
48引腳TSOP-I（12mm x 20mm）
 

特徵
•高速訪問時間：
 25、35 ns
•高效能，低功耗CMOS工藝
•多箇中心電源和接地引腳，增強了抗噪能力
•透過CS1和OE選項輕鬆擴充套件記憶體
•CS1掉電
•完全靜態操作：無需時鐘或重新整理
•TTL相容輸入和輸出
•單電源
Vdd 1.65V至2.2V（IS62WV102416ALL）
Vdd 1.65V至2.2V的速度= 35ns
Vdd 2.4V至3.6V（IS62 / 65WV102416BLL）
Vdd 2.4V至3.6V的速度= 25ns
•可用軟體包：
– 48球miniBGA（9mm x 11mm）
– 48引腳TSOP（I型）
•工業和汽車溫度支援
•無鉛
•高低位元組資料控制