分享一款低功耗SRAM晶片IS62WV102416DALL

ISSI IS62WV102416DALL，IS62WV102416DBLL是超低功耗CMOS16Mbit靜態RAM，組織為1M字乘16位。它是使用ISSI的高效能CMOS技術製造的。這種高度可靠的工藝加上創新的電路設計技術，可生產出高效能和低功耗的裝置。IS62WV102416DBLL和IS65WV102416DBLL封裝在48引腳TSOP（I型）中。 宇芯電子支援提供技術支援及產品解決方案。
 
主要特點
•高速訪問時間：45ns，55ns。
•CMOS低功耗操作
–25µA（典型值）CMOS待機
•CMOS以實現最佳速度和功率以及TTL相容介面級別
•單電源
–1.65V〜1.98VVDD
（IS62/65WV102416DALL）
–2.2V〜3.6VVDD
（IS62/65WV102416DBLL）
•完全靜態操作：無需時鐘或重新整理
•工業和汽車溫度支援
 
 
48引腳TSOP-I

 
功能說明
是隨機存取儲存器之一。每個位元組或字都有一個地址，可以隨機訪問。SRAM支援三種不同的模式。每個功能在下面的“真值表”中進行了描述。
 
待機模式
取消選擇時，裝置進入待機模式。輸入和輸出引腳（I/O0-15）處於高阻抗狀態。根據輸入電平，此模式下的電流消耗為ISB1或ISB2。此模式下的CMOS輸入將最大程度地節省功率。
 
寫模式
選擇晶片時且寫使能輸入LOW時的寫操作問題。輸入和輸出引腳（I/O0-15）處於資料輸入模式。即使為LOW，在此期間輸出緩衝區也會關閉。並啟用位元組寫入功能。透過啟用LOW，來自I/O引腳（I/O0至I/O7）的資料被寫入該位置。在地址引腳上指定。處於低電平時，來自I/O引腳（I/O8至I/O15）的資料被寫入該位置。
 
讀取模式
選擇晶片時，寫使能（WE）輸入為高，則發生讀操作問題。為低時，輸出緩衝器開啟以進行資料輸出。不允許在讀取模式下對I/O引腳進行任何輸入。並啟用位元組讀取功能。透過啟用LOW，來自儲存器的資料出現在I/O0-7上。處於低電平時，來自記憶體的資料將出現在I/O8-15上。
 
在讀取模式下，可以透過拉高來關閉輸出緩衝器。在此模式下，內部裝置作為READ操作，但I/O處於高阻抗狀態。由於裝置處於讀取模式，因此使用有功電流.
 
框圖