SRAM的容量擴充套件

SRAM即靜態隨機存取儲存器，所謂“靜態”是指這種儲存器只要保持通電，裡面儲存的資料就可以一直保持，但是掉電之後就會丟失。與DRAM（動態隨機存取儲存器）相比它不需要週期性的重新整理裡面的資料，操作簡單且速度更快，但是更加的昂貴，整合度不如DRAM高。
 
在實際應用中的儲存器所需要的容量通常比所生產的晶片容量大得多，所以需要對多晶片進行組合以實現儲存容量的擴充。本文以SRAM晶片為例系統介紹常用的擴充儲存容量的方法。

通常微處理器的資料匯流排為8位和16位或32位，而地址匯流排為16位或24位不等。當 靜態RAM 的地址線和資料線不能與微機相匹配時，可用地址線擴充套件和資料線擴充套件或地址和資料線同時進行擴充套件的方法加以解決。
 
1.RAM容量的擴充套件---位數擴充套件資料線擴充套件
如SRAM 2114 10位地址，4位資料線，其容量=210×4=1024×4=4096字位(4K)。
 

 
例:用4K容量的RAM2114，實現一個容量為1024×8(≈8K字位)字位容量的RAM。
解:1024×8字位容量，其地址仍是十位，故只要進行資料位擴充套件即可，選用RAM2114兩片，將兩片的地址線，讀/寫線及片選線並聯，兩片的位線分別作為高4位資料和低4位資料，組成8位的資料線即可。擴充套件後的電路如圖所示:
 

 
2. 容量的擴充套件---字位擴充套件，地址擴充套件，資料位擴充套件。
例:用RAM2114，擴充套件成容量為4096×8字位(32K)的RAM。
解:4096需要12位地址，而RAM2114只有10位地址，所以需要進行地址擴充套件，同時應該將一字4位,擴充套件成一字8位。字的位擴充套件用前面方法，地址擴充套件用譯碼器完成，用8片RAM211擴充套件後的電路如圖所示: