SRAM電路工作原理

近年來，片上儲存器發展迅速，根據國際半導體技術路線圖（ITRS），隨著超深亞微米制造工藝的成熟和奈米工藝的發展，電晶體特徵尺寸進一步縮小，半導體儲存器在片上儲存器上所佔的面積比例也越來越高。接下來宇芯電子介紹 的工作原理以及工作過程。
 
SRAM 寫操作。
寫操作就是把資料寫入指定的SRAM 儲存單元中。首先片選訊號CEBB 置為低電平，讀控制電路開始運作。10 位寫地址線AB0-AB9、16位資料輸入DI0-DI15 準備就緒，地址訊號有效，系統開始譯碼、選擇要寫入的儲存單元以及需要寫入的資料。當時鍾訊號CKB 高電平到來時，CKB 訊號控制譯碼電路完成最後的譯碼，行譯碼電路選中的那一行儲存單元寫字線WWL 將會開啟；16 位資料經過輸入輸出電路中的寫電路傳遞到寫字線BL 上，從而把資料寫入選中的儲存單元。
 
SRAM 讀操作。
讀操作即是把SRAM 陣列中指定單元中儲存的資料讀取出來。片選訊號CEBA 置為低電平，讀控制電路運作。與寫操作相同，10 位讀地址線AA0-AA9 提前準備就緒，經過譯碼器選擇指定的儲存單元；同時讀位線RBL 被預充電到高電平。預充電一段時間後時鐘訊號CKA 到來，譯碼完成，開啟指定儲存單元的讀字線RWL，對儲存單元進行讀操作。此時靈敏放大器被啟用，讀位線RBL 上的電壓變化會傳遞到靈敏放大器中，靈敏放大器可以根據RBL的電壓變化情況把結果送到輸出電路，輸出的二進位制序列從埠DO0-DO15 讀出，從而讀出特定儲存單元的資料。