SRAM整體結構圖

大多是由CMOS管組成的揮發性靜態儲存器。在掉電後儲存器中所存資料就會丟失。隨機靜態儲存器可以對任何地址進行讀寫操作，透過鎖存器的原理對資料進行儲存，在無操作狀況下，鎖存器處於穩態，保持資料穩定，不用進行週期性的電荷重新整理。SRAM由基本單元構成的陣列以及外圍電路構成，其中陣列的劃分和外圍電路的優劣對整個SRAM的效能有很大的影響。
 
SRAM是隨機儲存器的一種，它由靜態揮發性儲存單元組成的儲存陣列(或者叫核心，core) 組成，其地址譯碼整合在片內。SRAM 速度很快而且不用重新整理就能儲存資料不丟失。它以雙穩態電路形式儲存資料，結構複雜，內部需要使用更多的電晶體構成暫存器.以儲存資料。SRAM由於靠連續的供電來維持所存資料的完整性，故屬於易揮發性儲存器。
 
SRAM電路結構與操作和一般的RAM類似，由儲存陣列、靈敏放大器、譯碼器、輸入輸出電路和時序控制電路五大部分組成。儲存單元按行和列排列起來就組成了 的陣列結構，行和列分別稱為“字線”和“位線”。每個儲存單元對應於一個唯一的地址，或者說行和列的交叉就定義出了地址，而且每一個地址和某一特定的資料輸入輸出埠是相連的。一個儲存晶片上的陣列(或者自陣列)數目是由整個儲存器的大小、資料輸入輸出埠數目、儲存速度要求、整個晶片的版圖佈局和測試要求所決定的。
 

 

 
如圖1所示儲存陣列是由儲存單元(cell)構成的矩形陣列。每一個單元都有自己獨特的地址，透過外圍的譯碼電路選中相應的單元進行讀寫操作。譯碼電路包括行譯碼電路和列譯碼電路，其中行譯碼電路用來從2* 行中選中一行，列譯碼是從2* 中列中選出一-列。這樣透過行譯碼列譯碼的共同作用來從陣列中選出相應的單元進行讀寫操作。靈敏放大器和寫入電路用來對資料進行讀寫操作。
 
在資料讀出過程中，由於位線過長使得從單元中讀出的訊號很弱，需要用靈敏放大器來放大訊號，加快資料的讀出過程。寫入電路用來進行資料的輸入。控制電路主要用來控制資料的讀寫以及譯碼過程。透過相應的控制訊號如讀使能訊號寫使能訊號等來控制資料的讀寫操作。