MRAM可以替代NOR或SRAM

記憶體在人工智慧解決方案（例如機器學習）的培訓和實施中均扮演著關鍵角色。這也是建立諸如5G之類的高階網路技術的要求，這將需要在網路邊緣以及在端點處進行處理和儲存以實現IoT和其他應用程式。
 
如今大多數高效能記憶體都是易失性的，這意味著當裝置斷電時，儲存在記憶體中的所有內容都會丟失。但是記憶體會消耗很多功率，尤其是DRAM，這需要定期且頻繁地重新整理記憶體中的資料。物聯網等許多新應用程式要求將連線的感測器和其他裝置放置在能量受限的情況下，依靠電池執行或使用能量收集。在資料中心中，諸如DRAM之類的儲存器消耗了總功率的很大一部分。使用非易失性儲存器可以保留許多資料，這將使許多應用受益，即使關閉電源也是如此。
 
對於包括人工智慧推理在內的許多物聯網應用，物聯網系統並非始終處於完全活動狀態，因此可以關閉系統的某些部分，直到需要時為止。使用非易失性儲存器可以更輕鬆地在不需要時關閉這些儲存器的電源。由於它們是非易失性的，因此可以更頻繁地關閉它們，並且掉電和上電都需要更少的時間，從而改善了系統效能效能，同時將功耗降至最低。
 
除了在許多嵌入式和獨立應用中對非易失性儲存器的需求之外，一些新興的非易失性儲存器還可以擴充套件到比許多常規儲存器更高的密度。例如，NOR快閃記憶體似乎被有效地限制為22nm或更大的光刻特徵，平面NAND快閃記憶體被限制為15nm或更大的特徵（這就是為什麼大容量NAND正在轉向3D結構的原因），當然還有 ， 5-6個電晶體佔用了半導體晶片上的大量空間。 DRAM的密度縮放也受電晶體尺寸的限制。
 
由於這些原因，許多主要的半導體代工廠都提供MRAM作為嵌入式應用程式的非易失性儲存器。  可以替代NOR或SRAM，以在裝置上提供更高密度的非易失性儲存器。用MRAM替換SRAM可以使AI推理引擎具有更多記憶體（並引導非易失性記憶體）以儲存經過訓練的模型。