如何解決MRAM壽命問題

宇芯電子發表於2020-10-28

MRAM是一種非易失性磁性隨機儲存器。它擁有SRAM儲存晶片的高速讀取寫入能力,以及動態DRAM的高整合度,並可以無限次地重複寫入。 工作的基本原理與硬碟驅動器類似,與在硬碟上儲存資料一樣,資料以磁性的方商為依據,儲存為0或1。它儲存的資料具有永久性,直到被外界的磁場影響,才會改變這個磁性資料。因為運用磁性薦儲資料,所以MRAM在容童成本上有了很大的降低。本篇文章由專注於代理銷售 等儲存晶片供應商介紹如何解決MRAM壽命問題。
 
在高密度MRAM模組中會遇到磁介質的不規則漩渦,這種漩渦引起了磁極的老化,甚至導致讀寫錯誤。這也就是說,MRAM的壽命和穩定性會隨著MRAM容量的增加而面臨嚴峻的考驗。為此VERTICAL RING GMRCELLS技術(垂直環繞巨磁阻單元)臨危授命,很明顯VRGC讓磁層有了軟硬之分。大家可不要小看這一簡單的變化,這樣垂直排列的巨磁阻會將不規則漩渦基本消除,很有效地解決了MRAM的老化問題。此外為了加強MRAM的穩定性,避免讀寫錯誤,VRGC技術在每一基本單元額外加入了一對平行字元線,這有點類似目前普遍應用於伺服器記憶體的校驗功能。
 

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