PSRAM是非同步SRAM的理想替代品

PSRAM是一種儲存技術，它透過DRAM單元來實現高密度儲存並降低每儲存位成本。 帶有非同步SRAM外部介面，可實現高效的系統設計。COSMORAM協議包括關於猝發模式PSRAM使用者介面的通用規範以及封裝PSRAM的堆迭式多晶片封裝(MCP)。猝發模式功能增強了PSRAM操作效能,使其成為昂貴的非同步低功耗﹑低電壓SRAM的理想替代品。目前SRAM在手機及PDA等其它移動裝置中應用廣泛。
 
PSRAM與傳統的六電晶體(6T)SRAM單元效能相當,但卻有著標準非同步SRAM無法比擬的絕對成本優勢。此外,PSRAM還可提供極高的儲存密度,如32Mbit和64Mbit，可滿足手機廠商手機擴充套件功能的需要。
 
由於目睹PSRAM非常適於手機應用，其它公司也聯合起來共同發展這一技術、賽普拉斯(Cypress)半導體公司.英飛凌(Infineon)科技公司及美光(Micron)科技公司三家公司簽署合作協議，共同開發CellularRAM儲存器規範.CellularRAM是一種新的多代(multi-generation)低功耗PSRAM技術,專用於無線手機。
 
除了從增長市場獲利外，這些公司積極開發PSRAM技術的另一原因是為了防止手機廠商採用其它儲存器技術來取代 ，如低延時的DRAM和快速迴圈隨機儲存器(FCRAM)。