Cypress存取時間為10納秒的非同步SRAM

Cypress 16兆位元組快速非同步SRAM﹐其存取時間小於10ns。非同步SRAM內含l億多個電晶體﹐採用6個電晶體儲存單元﹐是該公司4兆位元組快速非同步SRAM的後續產品.Cypress負責這種新SRAM設計流程中﹐從概念設計到交付生產的每一個階段。第一塊矽片已初步定型﹐最初結果顯示存取時間將遠低於10ns .該設計是用0.16微米CMOS工藝實現的﹐晶片的面積超過120000平方密耳。

 
儘管該公司早先的 設計是使用高電壓電晶體實現的﹐但是新的SRAM採用雙電壓電晶體和雙柵氧化物工藝﹐因而只使用低壓電晶體﹔所以降低了晶片成本。然而該器件仍能承受高電壓。在雙柵氧化物實現過程中﹐晶片的一部分留給了高壓電晶體﹔諸如調節電路﹑加電覆位電路和輸入輸出緩衝器等均使用高壓電晶體來實現﹐而在新SRAM中所有電晶體都是低壓電晶體。設計師們採用了一些耐高壓技術﹐其中包括將電晶體級聯起來﹐以使加到電晶體的柵極―源級電壓都不超過2.5V.
 
為保證更快的存取時間﹐新 的一個關鍵設計目標是不管外部Vcc如何變化﹐都能確保晶片上的Vcc保持恆定不變。如果晶片的外部Vcc發生變化﹐例如從2.2V變為3.8V﹐晶片的內部Vcc則僅為2V。如果外部Vcc從2.2V變化到4V﹐該晶片則保持相同的存取時間。用0.16微米CMOS工藝製造SRAM這一決定也要求採用低壓技術。線上寬為0.16微米時不可能使用高壓技術﹐因為你要將--切都縮小,一旦你縮小了柵極氧化物﹐你就得降低供電電壓﹐這樣你就需要一個穩壓器。 宇芯電子提供驅動例程等產品解決方案。