高可靠性的cypress非同步SRAM

Cypress半導體公司生產高效能SRAM產品，用於資料傳輸、遠端通訊、PC和軍用系統。非同步快速儲存器晶片簡稱為：AsyncSRAM，速度一般在8/10/15ns,電壓範圍在1.65V~5V，可以滿足大部分應用的電壓設計。 宇芯電子本篇文章將介紹具有高可靠性的cypress非同步SRAM產品。
 
憑藉可滿足各種高可靠性工業，通訊，資料處理，醫療，消費和軍事應用的效能，快速和微功耗， 器件可提供片上ECC。這些器件具有與上一代非同步SRAM相容的外形匹配功能。這使您無需投資PCB重新設計就可以提高系統可靠性。
 

 

 
 
高可靠性：軟錯誤率<0.1FIT/Mbit
ERR引腳指示單位錯誤
密度選項：4Mbit，8Mbit，16Mbit
快速訪問時間：10ns（FAST）
超低待機電流：8.7μA（4MbitMoBL®）
匯流排寬度配置：x8，x16和x32
寬工作電壓範圍：1.8-5.0V
工業和汽車溫度等級
 
PowerSnooze™
 

 
賽普拉斯是第一家提供新器件系列的SRAM製造商，該器件系列將快速非同步SRAM的訪問時間與獨特的超低功耗睡眠模式（Power Snooze™）相結合。具有Power Snooze的快速SRAM消除了 應用中效能與功耗之間的折衷。在這個新的裝置系列中，透過提供一種稱為Power Snooze的新型超低功耗睡眠模式，可以實現現有產品系列的最佳功能。Power Snooze是標準非同步SRAM操作模式（活動，待機和資料保留）的附加操作模式。深度睡眠引腳（DS＃）使器件可以在高效能活動模式和超低功耗Power Snooze模式之間切換。在4Mbit器件上的深度睡眠電流低至15μA時，
 
非同步SRAM技術增強

糾錯碼（ECC）
 
賽普拉斯最新一代的非同步SRAM器件使用（38,32）漢明碼ECC進行單位錯誤檢測和糾正。賽普拉斯超可靠非同步SRAM中的硬體ECC模組可線上執行所有與ECC相關的功能，而無需使用者干預。
 
多位交織
 
高能量的地外輻射會翻轉多個相鄰位，從而導致多位錯誤。糾錯碼的單位元錯誤檢測和糾正功能透過位元交織方案進行了補充，以防止出現多位元錯誤。
 
這些功能加在一起，可以顯著改善軟錯誤率（SER）效能，從而導致業界領先的FIT率低於0.1FIT/Mbit。