Everspin擴充套件MRAM產品系列

經常有人將 稱作是非易失性儲存器(NVRAM)未來的關鍵性技術。作為一項非易失性儲存器技術，MRAM儲存晶片是可以在掉電時保留資料並且不需要定期重新整理。MRAM儲存晶片利用磁性材料和傳統的矽電路在單個器件中提供了SRAM的高速度和快閃記憶體的非易失性，它的壽命幾乎是沒有限制的。MRAM晶片器件可以用於高速緩衝器﹑配置記憶體,以及其他要求高速且耐用和非易失性的商業應用。
 
Everspin半導體在磁儲存器設計和製造及交付給相關應用方面的知識和經驗在半導體行業中是獨一無二的。包括40nm和28nm及更高工藝在內的先進技術節點上進行了全包交鑰匙的300mm大批次平面內和垂直MTJ ST-MRAM晶片生產。Everspin半導體在此生產基於180nm和130nm及90nm工藝技術節點的MRAM產品。Everspin半導體擁有600多項有效專利和申請的智慧財產權，在平面內和垂直磁隧道結（MTJ）STT-MRAM位單元的開發方面均處於市場領先地位。  

 
作為一家將MRAM儲存晶片技術商業化的公司，Everspin透過不斷推出經濟高效而且可靠的非易失性儲存器來長期引導市場發展，例如Everspin MRAM MR2A16A 4Mb產品是一款商業 器件，工作於商用級溫度範圍(o℃～+70℃)。
 
Everspin一款3V 4Mb的擴充套件溫度範圍為-40℃～+105℃的非易失性RAM(nvRAM)產品 MR2A16AV,從而擴充套件了其MRAM的產品系列。Everspin提供了新的擴充套件溫度範圍選擇，使MRAM儲存晶片可用於惡劣的應用環境，如工業、航空和和汽車應用設計等。在這類應用中,半導體儲存晶片產品必須能夠忍受惡劣的工作環境和極端的溫度範圍。
 
Everspin一種1Mb器件MR0A16A,擴充套件了商用MRAM產品系列。該儲存器件可為系統設計師提供另一種密度選擇，它針對的是主流嵌入式產品市場上的“最佳點(sweet spot)”。Everspin還計劃進一步擴充套件其MRAM產品系列。