Everspin MRAM技術的可靠性

與大多數其他半導體儲存技術不同，資料儲存為磁性狀態而不是電荷，並透過測量電阻來感測而不干擾磁性狀態。使用磁性狀態進行儲存有兩個主要好處。首先磁極化不會像電荷一樣隨時間洩漏，因此即使關閉電源，資訊也會被儲存。其次在兩種狀態之間切換磁極化不涉及電子或原子的實際運動，因此不存在已知的磨損機制。
 
Eve rspin MRAM 器件旨在結合非易失性儲存器和RAM的最佳功能，為越來越多的電子系統提供“即時接通”功能和斷電保護。
 
Everspin MRAM技術產品組合

Everspin切換 技術

 
與標準CMOS處理整合Everspin MRAM基於與CMOS處理整合的磁儲存元件。每個儲存元件都將一個磁性隧道結（MTJ）器件用於儲存單元。

 
磁性隧道結儲存元件
磁性隧道結（MTJ）儲存元件由固定磁性層，薄介電隧道勢壘和自由磁性層組成。當對MTJ施加偏壓時，被磁性層自旋極化的電子將透過稱為隧穿的過程穿過介質阻擋層。
 

當自由層的磁矩平行於固定層時，MTJ器件具有低電阻，而當自由層磁矩與固定層矩反平行時，MTJ器件具有高電阻。電阻隨裝置磁性狀態的變化是一種被稱為磁阻的效應，因此被稱為“磁阻” RAM。