MRAM快取記憶體的組成

磁阻式隨機儲存器( )是一種新型儲存器,其優點有讀取速度快和整合度高及非揮發性等。目前許多研究主要是致力於將MRAM儲存器運用於計算機儲存系統中。MRAM因具有許多優點,有取代SRAM和DRAM的潛能。用MTJ儲存單元構建的MRAM儲存器可以用作快取記憶體。
 
快取記憶體可以用與SRAM幾乎相同的方式來組建。MRAM與SRAM具有相似的電路結構(見圖1)。
 
它們都由字線來選擇目標操作單元,由位線來傳輸資料。SRAM兩種不同的位線連線到每一個單元,而MRAM只有一條位線,可以簡單的把位線與源線的結合看做替代。因為基於 的讀出放大器不能直接用於MRAM儲存器,故MRAM需要一個參考訊號，通常由一個偽MRAM單元提供,其面積可以忽略。
 

 
 
圖1MRAM單元的等效電路結構(1T1J)

 
因此一個大型MRAM陣列被劃分成若干個小型陣列。小型陣列可採用傳統快取記憶體結構,由H-tree連線起來,其行列數目和尺寸可以使用CACTI工具來進行最佳化。