磁儲存晶片STT-MRAM的特點

隨著半導體工藝技術的不斷進步,晶片工藝製程的不斷演進和成本的不斷降低,半導體晶片廣泛應用在物聯網、個人終端、汽車電子、可穿戴裝置、工業網際網路等各個領域。隨著晶片工藝的逐步升級,效能問題已不在是晶片設計環節的主要瓶頸,如在很多手持裝置領域,低功耗設計成為了晶片設計中的關鍵核心問題。透過引入一種基於磁儲存晶片作為內部儲存器件的晶片架構,同時也用作晶片內部的快取記憶體,能夠有效降低晶片漏電流,有效地提升了裝置使用時間,降低了整體的TCO成本,大大提升了產品競爭力。
 
在眾多新型非易失性儲存介質中,磁儲存晶片( )能夠與CMOS半導體工藝良好相容,利用較少的金屬層即可以做到儲存單元的高密度整合。同時由於其接近於靜態隨機儲存器( )的讀寫速度﹑極低的靜態和動態功耗、掉電不易失的特性、接近於無限的擦寫次數,高溫下長時間的資料保持能力以及抗強磁場輻射等特性,是作為企業級SSD控制器中資料快取和FTL表項儲存的天生優良介質。
 
當前眾多半導體設計大廠都將MRAM晶片作為下一代非易失性儲存介質的研發重點。除了臺積電、三星和東芝一直在持續推進STT-MRAM 的研發之外,美國的  公司早已釋出了量產STT-MRAM晶片。
 
將嵌入式STT-MRAM應用在晶片架構設計中,充分利用其掉電不易失資料的特性,能夠對儲存部分進行完全的關電設計,從而顯著降低整個晶片的漏電流和靜態功耗。