江波龍構建完整的儲存晶片垂直整合能力

首顆自研2D MLC NAND Flash釋出！

深圳 2024年2月1日 /美通社/ -- 江波龍研釋出局突破藩籬進入到積體電路設計領域，產品及服務獲得客戶高度認可。繼 自研 SLC NAND Flash系列產品實現規模化量產後，首顆 自研 32Gb 2D MLC NAND Flash也於近日問世。該產品採用 BGA132封裝，支援 Toggle DDR模式，資料訪問頻寬可達 400MB/s，將有望 應用於 eMMC、SSD等產品上，為公司儲存產品組合帶來更多可能性。

隨著自研2D MLC NAND Flash的推出，江波龍將在 半導體儲存品牌企業的定位和佈局上持續深耕，不斷提升核心競爭力。

越過高門檻

NAND Flash晶片自主研發

江波龍近年來在儲存晶片的自主研發投入了大量的精力和資源。公司引進了一批具備 超過 20年儲存晶片設計經驗的高階人才。團隊不僅精通快閃記憶體晶片的設計技術，並且對於流片工藝製程、產品生產過程有著深入瞭解，對於4xnm、2xnm、1xnm等Flash工藝節點的產品實現擁有豐富的經驗。在此基礎上，公司能夠根據特定需求設計出不同容量和介面的快閃記憶體晶片，為客戶提供定製化服務。

在產品測試方面，江波龍自研NAND Flash產品透過內嵌 片上 DFT電路，配合公司 自主開發的測試平臺，實現了高效的生產測試，以確保交付客戶的快閃記憶體晶片具有高度的一致性和可靠性。

上下求索

解決儲存晶片設計的每一步技術難題

儲存晶片設計的每個階段都有其獨特的挑戰和重要性，從 邏輯功能、類比電路設計、模擬驗證、物理設計等，都需要經過精心策劃和嚴格實施，才能確保最終產品的實現。

MLC NAND Flash晶片為了確保資料讀取和寫入的穩定性，需要精確控制儲存在儲存單元內的電荷數量。為達到該要求，一方面需要設計 高精度的類比電路，以精確產生讀寫儲存單元時所需的操作電壓；另一方面，需要精心設計演算法來 控制操作的時序和電壓，讓演算法能夠適應工藝特性（尤其是新工藝），且 實現儘可能低的能耗。透過在 晶片內嵌入微控制器，能夠修改韌體，從而實現更為 靈活的演算法控制。為了使得資料儲存更加可靠，晶片還內嵌了 溫度感測器，能夠搭配演算法實現更加精準的控制。

此外，為了實現介面訪問的高頻寬，還需要設計 高速資料讀寫通路。這一通路包括了 高速讀出放大器、高速並 -串/串-並轉換邏輯、冗餘替換電路，並且需要在電路設計和物理版圖上精確匹配各個關鍵訊號的延遲。

目前，江波龍已 具備 SLC NAND Flash、MLC NAND Flash、NOR Flash產品的設計能力，並將透過完善的工程及品控能力逐步擴充更豐富的Flash產品系列。

雙管齊下

自研 DRAM晶片測試平臺

除了在NAND Flash晶片領域持續發力，江波龍在DRAM晶片方面也進行了深入研究與探索。2023年，公司就已推出 複合式儲存 nMCP，該產品將 自研 SLC NAND Flash和透過自研測試平臺驗證的LPDDR4x進行合併封裝，實現 高頻低耗、寬溫執行的優異特性，可充分滿足 5G網路模組的儲存需求。憑藉對DRAM晶片的深厚技術積累和豐富的測試經驗，公司已成功構建完善的 ATE測試平臺和 SLT系統級測試平臺，能夠在晶片測試階段，高效地完成DRAM的單體測試， 顯著縮短單項測試時間，從而降低成本。

佈局封測製造

構建完整的儲存晶片垂直整合能力

從晶片設計、產品化到生產測試，江波龍已構建起儲存晶片完整的垂直整合能力。藉助於元成蘇州、智憶巴西（Zilia）封測製造能力，不僅讓創新設計落地成實，更進一步增強了在儲存晶片領域的競爭力。

其中，元成蘇州已在國內率先實現了多款 NAND Flash、DRAM、MCP產品的量產，並在晶片封裝及測試領域具備豐富的行業經驗，其透過引進 SDBG、BSG、DB、WB、MD、FC等先進封裝測試裝置，不斷提升 訊號模擬、工藝開發、 SiP級、多晶片、高堆疊等專業能力，為車規級、工規級等高階自研儲存晶片提供了強大的技術支援。此外，元成蘇州還建立了 MES、RMS、2DID等防呆體系，以確保柔性化高效的生產流程和產品實現，為客戶提供全方位的封裝測試服務。而智憶巴西（Zilia）則使江波龍能夠更好地 聚焦自身主業的海外市場開拓，併為國內客戶的海外業務賦能。

未來，江波龍將繼續大力投入儲存晶片的自主研發， 深入挖掘 NAND Flash、DRAM儲存晶片的應用潛力，與公司既有的產品線形成協同效應，充分結合元成蘇州、智憶巴西（Zilia）的晶片封測製造能力，提高生產效率和產品品質，為客戶提供更高質量的儲存服務。持續提升一體化儲存方案的核心競爭力。