只讀儲存器ROM 原文來自 ROM的分類(https://www.cnblogs.com/softhal/p/5640847.html)
FLASH 部分的原文(https://blog.csdn.net/xinxinyouyi/article/details/100571824)
隨機訪問儲存器 RAM(RANDMON ACCESS MEMORY)原文(https://blog.csdn.net/qq_42973834/article/details/108676693)
儲存器的分類及其特點
只讀儲存器ROM 的分類:
ROM 一般分為三種:
- PROM 一次可程式設計只讀儲存器
- 可擦除只讀儲存器 其中根據擦除的方式不同,分為紫外線擦除電寫入EPROM;電擦除電寫入E2PROM
- 固定內容的ROM
各自的特點
- 固定內容的ROM :固定內容的ROM是透過淹模工藝製作的,其內容在出場時就已按照要求固定,使用者無法更改。這種ROM儲存的資訊在斷電之後依然能夠穩定的儲存其中的資訊。常用來儲存固定的程式和資料。
- 一次性可擦 PROM :這種儲存器在出廠時未存入資料資訊,使用者可按照設計要求將所需存入的資料寫入PROM,一旦寫如則無法修改。其原理時用足夠大的電流熔斷熔絲。
- 電寫入紫外線擦除的EPROM 和 電寫入電擦除的EEPROM: 多次可擦除和程式設計的儲存器。EPROM內容的改寫不簡單,在使用過程中EOROM的內容是不能更改的,想要改寫EPROM的內容需要將晶片從電路板上取下,將儲存器的一塊石英玻璃串列埠對準紫外光照射數分鐘,讓儲存的資料消失。擦除時間10min~30min。 EEPROM 是一種電寫入電擦除的只讀儲存器。
flash 的分類
flash memory 快快閃記憶體儲器:是新一代EEPROM 它具有EEPROM 擦除的快速性 安全又可靠 帶電擦除
- NOR flash: nor flash 資料線和地址線先分開,可以實現想RAM一樣的隨機定址功能,可以讀取任何一個位元組。一般大小為2M~12M 容易出故障 可以位元組定址所以程式幾乎在NORFLASH中執行 或儲存引導程式碼。
- NANDFLASH 同樣是按快塊擦除,但是資料線和地址線複用,不能隨機定址。讀取只能按頁來讀取資料,NANDFLASH 的引腳複用所以讀取速度慢一點但是擦除和寫入速度幣NORFLAHS 快很多,大容量的FLASH 都是NANDFLASH。可多次擦除 存放檔案系統和核心。
FLASH的用途
FLASH是用來放程式的,可以稱之為程式儲存器,擦除寫入都是整個扇區進行的。微控制器用它來放程式碼。
FLASH的特點
- 按扇區進行操作
- 電路結構比較簡單 成本低
- 主要用來儲存程式
RAM
RAM是一種易失性的隨機儲存器,斷電之後其內部儲存的資訊會消失,是與CPU直接交換資料的內部儲存器,隨時讀寫速度快。通常為作業系統儲存程式的臨時資料。
RAM的分類
- SRAM static Random Access Memory 隨機儲存器的一種。其中static 意味著 只要儲存器不斷電裡面的資料就能一種儲存下去,SRAM不需要重新整理電路就能儲存其中的資訊。但是整合度底體積比上容積 的大小 比 DRAM 小(DRAM更高效) SRAM 比DRAM 貴,用的材料多。
- DRAM dynamic Random access memory 動態隨機存取儲存器。最常見的系統記憶體。DRAM之中的資料只能保持很短的時間,為了能夠持續儲存資料,必須每隔一段時間重新整理一次。
SRAM的分類
SRAM 又可以細分為兩類 :同步SRAM 和非同步SRAM。
- 非同步SRAM 的訪問獨立於時鐘,資料輸入和輸出都有地址變化控制
- 同步SRAM的所有訪問都在時鐘的上升或者下降啟動,資料輸入輸出與時鐘訊號有關。
DRAM的分類
DRAM 也可以細分為兩類: 同步DRAM -SDRAM 和非同步DRAM
- SDRAM是DRAM的一種,利用一個點一的系統時鐘同步所有的地址資料和控制訊號。DDR 和 DDR2 和 DDR3就是SDRAM的一種。
- 非同步SRAM比較少見。