非揮發性記憶體像EPROM、EEPROM和FLASH能在斷電後仍儲存資料，但由於所有這些記憶體均起源自只讀儲存器(ROM)技術，所以您不難想象得到它們都有不易寫入的缺點，確切的來說，這些缺點包括寫入緩慢、有限次寫入次數、寫入時需要特大功耗等等。
鐵電儲存器（FRAM）產品將ROM的非易失性資料儲存特性和RAM的無限次讀寫、高速讀寫以及低功耗等優勢結合在一起。FRAM產品包括各種介面和多種密度，像工業標準的序列和並行介面，工業標準的封裝型別，以及4Kbit、16Kbit、64Kbit、256Kbit和1Mbit等密度。
FRAM第一個最明顯的優點是FRAM可跟隨匯流排(BusSpeed)速度寫入，若比較起EEPROM/Flash的最大不同的是FRAM在寫入後無須任何等待時間(NoDelayTMWrite)，而EEPROM/Flash須要等3~10毫秒(mS)才能寫進下一筆資料。
鐵電儲存器(FRAM)的第二大優點是近乎無限次讀寫。當EEPROM/Flash只能應付十萬次(10的5次方)至一百萬次寫入時，新一代的鐵電儲存器(FRAM)已達到一百億個億次(10的10次方)的寫入壽命。
鐵電儲存器(FRAM)的第三大優點是超低功耗。EEPROM的慢速和高電流寫入令它需要高出FRAM2,500倍的能量去寫入每個位元組。
Fujitsu FRAM鐵電儲存器有序列I2C和SPI介面以及並行介面三種方式：
1.序列介面：
序列I 2C介面，序列SPI介面
常見型號：MB85RC1MT、MB85RC512T、MB85RC256V、MB85RC128A、MB85RC64TA、MB85RC64A、MB85RC64V、MB85RC16、MB85RC16V、MB85RC04、MB85RC04V
MB85RS2MT、MB85RS1MT、MB85RS512T、MB85RS256B、MB85RS128B、MB85RS64T、MB85RS64V、MB85RS64、MB85RS16。
2.並行介面：
常見型號：MB85R8M1TA、MB85R8M2TA、MB85R8M2T、MB85R4M2T、MB85R4001A、MB85R4002A、MB85R1001A、MB85R1002A、MB85R256F