整合鐵電儲存器MCU為物聯網應用提供出色效能

整合 的MCU，由於在MCU上整合了鐵電儲存器，該產品資料寫入速度比基於快閃記憶體和EEPROM的MCU快100倍,功耗降低250倍。它還可在所有的電源模式中提供資料儲存功能、支援超過100萬億次的寫入次數、併為開發人員提供了一個全新的靈活度（允許其透過軟體變更來完成資料記憶體與程式記憶體的分割槽)。
 
鐵電儲存器相比 、FLASH和EEPROM優點多多:非易失性，寫入速度快，無限次寫入,最關鍵是用一個鐵電儲存器可取代原MCU需配置的2~3個不同的儲存器，統一的儲存器架構使使用者在成本和靈活性上獲益。
 
這種整合鐵電儲存器的MCU是TI特別為物聯網,特別是感測器網應用而研發。感測器網部署多在室外或野外，電源條件差,因此功耗要求苛刻,最好能一塊電池支援裝置整個生命週期,或能從外界採集能量。此外實時採集到的更多資料要求記憶體擦寫次數更多，對flash的壽命是個挑戰。而鐵電讀寫速度比快閃記憶體提升100倍,而功耗節省250倍。
 
舉個應用例項:國外超市為節省人工成本，商品普遍採用電子標籤,透過一個感測器網路自動更新價格等資訊,這種應用如採用整合鐵電儲存器的MCU方案,就能大大節省功耗並延長裝置壽命。統一的儲存器也簡化了供應鏈管理,降低採購成本。該新產品首個系列有4/8/16kB三個版本，採用的是16位RISCMCU架構,未來還會推出基於ARM架構的產品系列。與此同時,TI在工具、軟體和系統解決方案方面提供全面支援，包括開發板套件、RF產品庫、相容的硬體模組以及設計工具、參考設計及完整的生態系統支援等。
 
在MCU上整合鐵電儲存器是存在一定難度的，首先製程工藝上，工藝較舊,而鐵電工藝新,這個轉移和適應需要很多開發工作;其次鐵電本身工藝成熟度也在不斷進步中,也存在定的不足,比如鐵電高溫時(260℃)會丟失資料,在生產時需要特別注意。