鐵電儲存器FRAM的優劣勢

FRAM憑藉高速讀寫入、高讀寫耐久性、低功耗和防竄改方面的優勢，被視為替代傳統EEPROM和FLASH的產品。FRAM產品的主要廠商包括英飛凌、日本富士通半導體和其他公司，這幾家公司代表了當今世界最先進的FRAM技術。FRAM在半導體市場上已經得到了商業驗證，FRAM儲存器產品已成功應用在汽車中。
 
1.  FRAM的優勢：
 
是一種新型儲存器，具有高速、高密度、低功耗和抗輻射等優點，與EEPROM、FLASH相比，FRAM的讀寫更快、壽命更長，FRAM已經應用於IC卡和MCU中，預計未來具有廣闊的市場前景。FRAM產品具有明顯的高新技術特點，符合科創板屬性，目前上市公司中尚沒有從事該產品的開發。
 
2.  FRAM的劣勢：
 
FRAM的製造成本高，價格比EEPROM、FLASH更加昂貴，儲存的空間更小。
 
由於目前EEPROM和FLASH經過多年的技術積澱和積累，無論是技術還是市場的認可度都非常高，且價格低廉。FRAM作為新型儲存器之一，FRAM的技術發展的路徑尚不確定，未來替代EEPROM會經歷一個漫長的過程，將來也可能是其他新型儲存器，如相變儲存器PCM、磁儲存器 、電阻儲存器ReRAM、碳奈米管儲存器NRAM取代現有的儲存器。
 
雖然目前富士通半導體等公司正在大力推廣FRAM，但是傳統的儲存器如EEPROM和FLASH依舊會保持很大的市場份額，未來EEPROM、FLASH的技術迭代也會提升其各方面的效能，FRAM與EEPROM、FLASH會保持長期共存的局面，不會短時間內出現FRAM徹底替代EEPROM、 的情況。
 
建議改型別的專案方提供下游客戶的產品中必須用到FRAM的情形，以及其他可替代的儲存器，並說明與日本富士通半導體和英飛凌的FRAM的產品效能優勢或成本對比，是否已經大規模量產以及良率如何，由此來綜合評估該型別專案的FRAM產品的技術壁壘和未來市場銷售情況。