Everspin MRAM非易失性儲存器的五大優勢

MRAM是一種使用電子自旋來儲存資訊的儲存技術。MRAM具有成為通用儲存器的潛力-能夠將儲存儲存器的密度與SRAM的速度結合在一起，同時始終保持非易失性和高能效。MRAM可以抵抗高輻射，可以在極端溫度條件下執行，並且可以防篡改。這使得MRAM適用於汽車，工業，軍事和太空應用，這些對於MRAM開發人員來說是重要的部分。

那麼MRAM的優勢究竟有哪些呢?下面我們分幾點一起來看看:
 
首先， 是非易失性儲存器，也就是斷電後MRAM依舊可以儲存資料。這一點和之前介紹的NRAM類似。
 
其次，MRAM不存在讀取磨損的問題。由於MRAM的原理只涉及磁場改變方向等，不像快閃記憶體顆粒那樣需要一定數量的電子才能工作，並且電子存在丟失可能，因此壽命理論上來說是無限的，磁場的穩定性要比電場好很多。
 
第三，MRAM的功耗很低。由於MRAM在寫入資料時只需要反轉磁場即可，因此所需功耗能夠控制在比較低的範圍。
 
第四，MRAM抗輻射效應出眾。由於MRAM使用的是金屬、又是磁儲存結構，因此在一般的輻射下能夠穩定工作，比DRAM、SRAM、NAND等強很多。
 
第五，MRAM讀寫速度比較高。目前MRAM產品的讀寫速度已經超過了DRAM,距離 還有一定差距。不過隨著工藝的進步和結構設計的提高，MRAM有望讓速度再上一個臺階。
 
在這五大優勢背後，MRAM也存在一些問題。比如目前製造和設計都比較困難，材料上還有進一步擴充的空間，目前價格也比較昂貴，尚未經過大規模量產等。耐久性方面，MRAM由於使用的是磁場來儲存資料，因此在外界磁場干擾、高溫等環境下是否能穩定、長久的儲存資料，還有待檢驗。

Everspin Technologies，Inc是設計製造MRAM和STT-MRAM的全球領導者其市場和應用領域涉及資料永續性和完整性，低延遲和安全性至關重要。 產品廣泛應用在資料中心、雲端儲存、能源，工業，汽車和運輸市場中，為全球MRAM使用者奠定了最強大，增長最快的基礎。代理商宇芯電子提供產品技術支援指導。