非易失性儲存器平衡方法

非易失性儲存器 在高階節點上變得越來越複雜，在高階節點上的價格和速度，功率和利用率正在成為一些非常特定於應用程式的折衷，以決定該儲存器的放置位置。
 
NVM可以嵌入到晶片中，也可以使用各種型別的互連技術將其移出晶片。但是這個決定比它最初看起來要複雜得多。它取決於過程節點和電壓，NVM的型別以及其中儲存的內容以及整個晶片或系統的預算。
 
效能最高的處理器使用的工藝幾何尺寸最小，這反過來將對NVM提出最高要求。NVM面臨的一些挑戰是在較小的幾何尺寸上擴充套件容量的相對困難，以及需要實施更高的電壓來對單元進行程式設計。在更精細的工藝幾何尺寸下，可能需要更多的裸片面積來支援額外的處理核心所需的容量，並且可能需要額外的製造成本來支援更高的電壓。
 
這已成為在較小几何尺寸的功率/效能改進與可以經濟高效地嵌入多少記憶體之間的一種平衡方法。
 
在非易失性儲存器中，當降至40nm以下時，嵌入它的成本將變得非常高，因此可能最終會在內部使用更多的 ，但隨後將NVM委託給外部裝置。但是這樣做時，挑戰就變成了具有足夠的頻寬效能以能夠以省電的方式執行。
 
一些 公司正在轉向外部儲存器而不是內部儲存器，並使用效能更高的八進位制NVM來做到這一點。
 
這樣做的優點之一是簡單。因此，裸NAND裝置正趨向於固態驅動器和儲存卡，對需要直接與裸NAND介面的裝置（不包括儲存控制器）的要求越來越少。
 
隨著SPI（序列外設介面）匯流排上裝置的多樣性增加，以及高速SPI介面（特別是四路SPI，八路SPI，xSPI）的泛濫，它已經成為一種非常有趣的匯流排，除了啟動並直接執行之外公交車。這種方法在恩智浦不具有片上嵌入式儲存器的微控制器系列中很明顯。