通用選擇器將大大提高MRAM儲存技術能力

一種稱為Universal Selector的新創新技術，它將顯著提高現有和新興儲存技術（包括MRAM，DRAM和ReRAM）的功能，因為它將提供一種新穎的方式設計垂直單元電晶體，以實現更高水平的效能和可靠性和密度。
 
自旋儲存器的通用選擇器是一種選擇性的垂直外延單元電晶體，其溝道的摻雜濃度足夠低，可以完全耗盡。對於 儲存器，通用選擇器使製造商能夠建立6F2–10F2（6F2–10F2）的1T1R儲存位單元，從而使製造商可以在同一面積內嵌入多達五倍的儲存器，而所需的晶片處理成本卻最低。
 
MRAM儲存器可以抵抗高輻射，也可以在極端溫度條件下執行，並且可以防篡改。這使得MRAM儲存器適用於汽車和工業，軍事和太空應用，這些對於MRAM儲存器開發人員來說是重要的部分。
 
通用選擇器是第一個真正的行業解決方案，可解決行錘干擾的DRAM問題，同時降低了軟錯誤率（SER）和洩漏。
 
完全耗盡的單元電晶體以及其他獨特的工藝和器件功能會導致關鍵的架構變化，從而使溝道與矽襯底完全電隔離。這完全消除了任何捕獲或遷移的電子引起行錘的可能性，從而使該設計不受行錘的影響。