MRAM工作原理技術

RAM是一種使用電子自旋來儲存資訊的儲存技術。非易失性MRAM具有成為通用儲存器的潛力，能夠將儲存儲存器的密度與SRAM儲存器的速度結合在一起並同時始終保持非易失性和高能效。MRAM儲存晶片可以抵抗高輻射及可以在極端溫度條件下執行並且可以防篡改。
 
MRAM晶片中的資料是由磁儲存元件儲存。這些元素是由兩塊鐵磁板組成的，兩塊鐵磁板之間隔著一層薄薄的絕緣層，每一塊鐵磁板都能保持磁化。這種結構被稱為磁隧道結(MTJ)。兩塊極板中的一塊是在製造期間被設定為特定極性的永磁體;另一塊板的磁化率可以隨儲存的資料進行改變。瑞薩電子最近增加了MRAM器件，該器件使用了一種基於垂直磁隧道結(p-MTJ)的專有自旋轉移扭矩  (STT-MRAM)。p-MTJ包括固定且不可改變的磁層、電介質阻擋層和可改變的鐵磁儲存層。

 
在程式設計操作中，根據p-MTJ元素的電流方向，儲存層的磁場方向從平行狀態(低電阻狀態“0”)電切換到反平行狀態(高電阻狀態“1。這兩種不同的電阻狀態用於資料儲存和感測。