選擇MRAM最佳測試演算法

嵌入式記憶體測試和修復的挑戰是眾所周知的，包括最大程度地擴大故障覆蓋範圍以防止測試失敗以及使用備用元件來最大程度地提高製造良率。隨著有前途的非易失性儲存器架構的可用性不斷增加，以增加並潛在地替代傳統的易失性儲存器，新的SoC級儲存器測試和修復挑戰不斷湧現。透過將自旋轉移扭矩 （STT-MRAM）作為嵌入式MRAM技術的領先趨勢來增強動力，同時考慮了汽車應用的需求。要為嵌入式MRAM選擇合適的記憶體測試和修復解決方案，設計人員需要考慮一些因素，例如在生產測試期間進行修整的特殊需求.
 
除了在傳統儲存器中觀察到的常規卡死，過渡，耦合，地址解碼器和數百種其他故障型別之外，測試嵌入式STT-MRAM儲存器IP還需要考慮特定於體系結構的故障，例如程式設計/擦除掩碼和扇區/晶片清除故障。因此，需要透過擴充套件的基於March的演算法類來檢測嵌入式 特定的故障，該演算法具有使用者靈活性，可以指定多個背景圖案（例如，實心，棋盤格）以及各種定址模式（例如，快速列，快速行）來確保最高的測試覆蓋率。由於嵌入式MRAM宏的大小很大，因此BIST引擎中需要使用具有較低複雜度的快速演算法，以具有可接受的ATE生產/製造診斷測試時間。
 
對於汽車環境，SoC設計人員將需要具有靈活性，以在現場執行其他可自定義演算法，以匹配系統操作約束。表1顯示瞭如何在複雜的測試階段中需要執行不同複雜程度的不同演算法以匹配系統約束的示例。

表1：選擇儲存器測試演算法的能力對於汽車等應用很重要

記憶體測試演算法	SoC測試階段	並行記憶體測試方案中的時鐘週期數（執行時）	序列記憶體測試方案中的時鐘週期數（執行時）
測試演算法1（低複雜度-8N）	任務模式	33,000 (0.066 ms)	80,000 (0.16 ms)
測試演算法2（中等複雜度-16N）	開機/關機	57,000 (0.114 ms)	123,000 (0.246 ms)
測試演算法3（高複雜度-55N）	ATE生產/製造測試	193,000 (0.386 ms)	383,000 (0.766 ms)

 
*資料來源ITC ：汽車SoC中用於嵌入式記憶體和IP的高階功能安全機制
 
因此，BIST引擎必須支援擴充套件的演算法類別，以測試特定於MRAM的故障型別，提供靈活性以執行不同的背景模式和定址模式，並允許使用者配置為在SoC的多個測試階段中執行不同的演算法。