非易失性Flash詳解

Flash(快閃或快閃記憶體)由Intel公司於1988年首先推出的是一種可用電快速擦除和程式設計的非易失性儲存器，其快速是相對於EEPROM而言的。Flash從晶片工藝上分為Nor Flash和Nand Flash兩大類。
 
Nor Flash
Nor Flash的特點是晶片內執行(XIP )，應用程式可以直接在 內執行，不必再把程式碼讀到系統RAM中。Nor Flash的傳輸效率很高，在1~4MB的小容量時具有很高的成本效益。
 

Nand Flash的結構能提供極高的單元密度，可以達到高儲存密度，並且寫入和擦除的速度很快;然而其管理和控制比較複雜。
 
非易失性儲存器–Nor Flash
Nor Flash根據資料傳輸的位數可以分為並行和序列，並行Nor Flash每次傳輸多個bit位的資料;而序列Nor Flash每次傳輸一個bit位的資料。並行Nor Flash比序列Nor Flash具有更快的傳輸速度。
 
序列Nor Flash
主要介面有SPI、Dual SPl、Quad SPI模式。
 
並行Nor Flash
主要介面有8位、16位、8位/16位可選的資料傳輸方式。
 
非易失性儲存器-Nor Flash特點
特點:Nor Flash是非易失儲存,一般用於程式程式碼儲存
主推容量256Kb-512Mb
序列:MCU帶SPI口、IO口比較少、成本低、體積小、速度不高,應用十分廣泛。
並行:MCU需帶外部匯流排,速度快,內部無FLASH等
用在AMR9、ARM11、A7、A8、A9等高階平臺上
 
非易失性儲存器-Nand Flash特點
特點:容量大，寫速度快等優點適用於大資料的儲存
主推容量512Mb-8Gb
並行:MUC帶外部儲存控制器、資料量大、速度快
用在AMR9、ARM11、A7、A8、A9等高階MCU上;跑WinCE/Linux/Android等作業系統
序列:MCU帶SPI口、IO口比較少、成本低、體積小
目前只有GD(北京兆易）在生產相關的產品但我們不推該產品線的儲存

Flash的應用

 
Nor Flash與Nand Flash的區別
NOR
1.讀速度快，寫速度慢
2擦除速度慢
3.擦除次數約10萬次
4.容量小256Kb-512Mb
5.單位容量價格高，適用於小容量程式儲存
6.不易產生壞塊
NAND
1.讀速度慢，寫速度快
2.擦除速度快（( 1000:1)
3.擦除次數約100萬次
4.容量大512Mb-8Gb
5.單位容量價格低，適用於大容量資料儲存
6.較易產生壞塊，需ECC校驗