易失性儲存DRAM詳解

DRAM是一種半導體儲存器，主要的作用原理是利用電容記憶體儲電荷的多寡來代表一個二進位制bit是1還是0。與SRAM相比的DRAM的優勢在於結構簡單,每一個bit的資料都只需一個電容跟一個電晶體來處理，相比之下在SRAM儲存晶片上一個bit通常需要六個電晶體。因此DRAM擁有非常高的密度，單位體積的容量較高因此成本較低。儲存晶片供應商宇芯電子本篇文章主要介紹關於DRAM的基本知識。
 
DRAM儲存原理
的每一位儲存單元採用一個電晶體和小電容來實現。若寫入位為“1”，則電容被充電:若寫入位為“0”，則電容不被充電。讀出時用電晶體來讀與之相連的電容的電荷狀態。若電容被充電，則該位為“1”;若電容沒有被充電，則該位為“O”。

 
由於電容存在漏電阻，因此每個位單元都必須不斷地、週期性地對進行充電，以維持原來的資料不丟失，此行為稱之為重新整理。
 
DRAM特點
由於每個儲存位僅用一個電晶體和小電容，因此整合度比較高。就單個晶片的儲存容量而言，DRAM可以遠遠超過SRAM;就相同容量的晶片而言，DRAM的價格也大大低於SRAM。這兩個優點使DRAM成為計算機記憶體的主要角色。DRAM的行列地址分時複用控制和需要重新整理控制，使得它比SRAM的介面要複雜一些。DRAM的存取速度一般比SRAM要慢。
 
DRAM推薦型號

 
與DRAM的區別
SRAM
1.速度快
2.不需要重新整理可保持資料
3.無需MCU帶特殊介面
4.容量小，256Kb-16Mb
5.整合度低，單位容量價格高
6.靜態功耗低，執行功耗大
 
DRAM
1.速度較慢
2.需要重新整理來保持資料
3.需要MCU帶外部儲存控制器
4.容量大，16Mb-4Gb
5.整合度高，單位容量價格低
6.執行功耗低