非易失性儲存器Flash和EEPROM之間的差異與優缺點

在嵌入式系統中，Flash和EEPROM能夠儲存可用於通訊或執行某些功能的資料。它們可以透過多種不同的序列協議（包括SPI或序列外圍裝置介面）來連線儲存裝置。在微控制器中也整合了多種不同型別的SPI儲存裝置，包括Flash和EEPROM。
 
一、Flash和EEPROM之間的差異
 
和EEPROM均被視為非易失性儲存器。非易失性儲存器意味著該裝置能夠儲存資料且無需持續供電，即使關閉電源也能儲存資料資訊。它們都是電子可寫和可擦除儲存器，用以儲存微控制器的應用程式及資料資訊。這些資料可在晶片上或晶片外儲存資訊。
 
儘管Flash和EEPROM裝置都可以儲存嵌入式裝置中使用的資訊，但是它們的體系結構和用於讀取，寫入和擦除資料的操作略有不同。而EEPROM指的是電可擦可程式設計只讀儲存器是一種儲存器，可以在位元組級別讀取，寫入和擦除資料。另一方面Flash是EEPROM的一種，在結構上以塊的形式排列，在塊中擦除資料，並且可以在位元組級別讀取或寫入資料。
 
二、使用快閃記憶體與EEPROM有什麼優缺點？
 
使用快閃記憶體或EEPROM裝置有很多優點和缺點：
 
由於 以位元組為單位執行其擦除功能，因此這增加了清除和編輯裝置所花費的時間，但允許開發人員在需要時編輯特定部分。快閃記憶體能夠擦除大量資料，從而大大提高了擦除速度，並使裝置可以更緊湊地儲存資訊。但是由於這個原因，它也失去了編輯某些位元組的能力，從而迫使開發人員在進行任何更改時都重寫整個資料塊。
 
在儲存裝置上執行多個擦除和寫入週期將導致其最終隨著時間的推移而降級。使用EEPROM的優點之一是使用壽命更長。EEPROM在其生命週期內最多可以執行1000000個擦除/重寫週期。根據快閃記憶體的型別，快閃記憶體的使用壽命會縮短，大多數快閃記憶體產品在磨損開始惡化儲存完整性之前，能夠承受大約10000至1000000次擦除/寫入迴圈。就大小和成本而言，快閃記憶體具有比EEPROM更小的儲存單元尺寸，並且實現成本更低。