非易失性FRAM中的預充電操作

鐵電儲存器（FRAM）是一種隨機存取儲存器，是一種特殊工藝的非易失性的儲存器，它將DRAM的快速讀取和寫入訪問,它是個人電腦儲存中最常用的型別，與在電源關掉後保留資料能力（就像其他穩定的儲存裝置一樣，如只讀儲存器和快閃記憶體）結合起來。接下來宇芯電子介紹關於非易失性FRAM中的預充電操作。
 
預充電是FRAM的內部條件，在該條件下，儲存器被調適以進行新的訪問。

FRAM裝置中的預充電操作在以下任何條件下啟動：
1.驅動晶片使能訊號/CE至高電平
2.更改高位地址位（例如，裝置FM28V100的A16-A3）
 
中的讀取操作具有破壞性，因為它需要切換極化狀態才能感知其狀態。在初始讀取之後，讀取操作必須將極化恢復到其原始狀態，這會增加讀取操作的週期時間。FRAM的讀和寫週期需要一個初始的“預充電”時間，這可能會增加初始訪問時間。
 

 

 
啟動預充電操作後，需要花費tPC時間才能完成。由於FRAM中讀取的破壞性，如果不回寫，則會丟失FRAM單元中的資料。預充電操作可確保將資料安全地寫回到FRAM單元中。這是透過使用內部緩衝區來實現的。對於每次訪問（讀/寫），FRAM將所需的資料行從儲存單元讀取到內部緩衝區。資料在讀取操作中從內部緩衝區輸出，或者在內部緩衝區中進行寫操作修改。在預充電操作期間將其寫回到FRAM單元。下面以示例說明預充電操作。
 
考慮一個FRAM，其行大小為8個位元組（例如FM28V100）。要從第二個地址位置（0x0002）讀取資料，FRAM將從FRAM儲存器陣列的第一行讀取到內部緩衝區，並從該內部緩衝區的第二個位置輸出資料。如果下一次訪問是讀取地址位置0x0005，則FRAM將從內部緩衝區的第5個位置輸出資料，該內部緩衝區已經包含正確的資料，因為儲存器行未更改。如果下一次訪問是對屬於儲存器陣列第二行的地址位置0x0009，則FRAM會將第一行從內部緩衝區寫回到陣列，然後將第二行讀入內部緩衝區。資料從內部緩衝區的第一個位置輸出（對應於0x0009）。當取消選擇晶片（/CEHIGH）時，也會將資料寫回到FRAM陣列。
 
要將資料寫入第3個位置（0x0003），FRAM將從 陣列的第一行讀取到內部緩衝區，然後將內部緩衝區的第3個位置修改為要寫入的資料。然後，當取消選擇晶片或啟動對另一行的訪問時，FRAM將內部緩衝區寫回到FRAM陣列。
 
每次訪問後應滿足預充電時間（tPC）。取消選擇晶片或訪問另一行時，未達到預充電時間可能會導致記憶體損壞。