宏旺半導體分析EEPROM和FLASH的區別及各自的優缺點

大家都知道記憶體儲器分為兩大類：RAM和ROM，今天宏旺半導體就主要跟大家科普一下ROM類別下的EEPROM是指什麼，它跟FLASH又有什麼區別？它們各自的優缺點又是什麼？

 

ROM ，即只讀儲存器(Read Only Memory)，具有非易失性的特點。ROM所存資料穩定，斷電後所存資料也不會改變。計算機中的ROM主要是用來儲存一些系統資訊，或者啟動程式BIOS程式，這些都是非常重要的，只可以讀一般不能修改，斷電也不會消失。

據宏旺半導體瞭解，ROM最初不能程式設計，出廠什麼內容就永遠什麼內容，不靈活。後來出現了PROM，可以自己寫入一次，要是寫錯了，只能換一片。人類文明不斷進步，終於出現了可多次擦除寫入的EPROM，每次擦除要把晶片拿到紫外線上照一下，折騰一天也改不了幾次。歷史的車輪不斷前進，偉大的EEPROM出現了，終於可以隨意的修改ROM中的內容了。

 

那EEPROM有什麼特點呢？EEPROM （Electrically Erasable Programmable read only memory），是一種掉電後資料不丟失的儲存晶片。 EEPROM 可以在電腦上或專用裝置上擦除已有資訊，重新程式設計。而flash其實是屬於廣義的EEPROM，因為它也是電擦除的ROM。但是為了區別於一般的按位元組為單位的擦寫的EEPROM，我們都叫它flash。

 

對於使用者來說，EEPROM和FLASH 的主要區別有哪些？有什麼樣的優缺點？據宏旺半導體瞭解，主要有以下幾個：一、EEPROM 可以按“位”擦寫，而FLASH 只能一大片一大片的擦；二、EEPROM 一般容量都不大，市面上賣的stand alone 的EERPOM 一般都是在64KBIT 以下，而FLASH 一般都是8MEG BIT 以上（NOR 型）；三、因為EEPROM的儲存單元是兩個管子而FLASH 是一個（SST的除外，類似於兩管），所以CYCLING 的話，EEPROM比FLASH 要好一些，到1000K次也沒有問題的。

 

綜上，宏旺半導體總結一下，FLASH 和EEPROM的最大區別是FLASH按一大片一大片的擦，EEPROM則按“位”擦寫，二者定址方法不同，儲存單元的結構也不同，FLASH的電路結構較簡單，同樣容量佔晶片面積較小，成本自然比EEPROM低，因而適合用作程式儲存器，EEPROM則更多的用作非易失的資料儲存器。今天的科普就到這裡，日後有關於儲存晶片的問題可以找宏旺半導體！