宏旺半導體分析RAM、ROM、SDRAM、DRAM、DDR、flash之間的區別

在很長一段時間，宏旺半導體帶來了儲存各個版塊的乾貨，可以翻閱往期文章查閱，今天宏旺半導體將做個小總結，系統闡述儲存器，有不出入的地方歡迎指出哦。

 

儲存介質基本分類：ROM和RAM

 

RAM ： 隨機訪問儲存器(Random Access Memory)，易失性。是與CPU直接交換資料的內部儲存器，它可以隨時讀寫，而且速度很快，通常作為作業系統或其他正在執行中的程式的臨時資料儲存媒介。它的作用是當開機後系統執行佔一部分外，剩餘的執行記憶體越大，手機速度越快，執行的程式越多，剩餘越少。

 

ROM ： 只讀儲存器(Read Only Memory)，非易失性。一般是裝入整機前事先寫好的，整機工作過程中只能讀出，而不像隨機儲存器那樣能快速地、方便地加以改寫。ROM所存資料穩定，斷電後所存資料也不會改變。計算機中的ROM主要是用來儲存一些系統資訊，或者啟動程式BIOS程式，這些都是非常重要的，只可以讀一般不能修改，斷電也不會消失。關於ROM的一些新發展，宏旺半導體也在之前的文章中詳細講過。

 

今天要帶來的內容就在下面一張圖裡，先來講講RAM和ROM，兩者相比，的最大區別是RAM在斷電以後儲存在上面的資料會自動消失，而ROM不會自動消失，可以長時間斷電儲存。

隨機訪問儲存器：RAM

 

隨機訪問儲存器分為兩類：靜態的和動態的。靜態的RAM（SRAM）比動態RAM（DRAM）更快，但也貴很多。SRAM用來作為快取記憶體儲存器，既可以在CPU晶片上，也可以在片下。DRAM用來作為圖形系統的幀緩衝區。

 

SRAM ： SRAM 儲存器單元具有雙穩態特性，只要有電，它就會永遠的保持它的值（有點類似ROM易失性）。即使有干擾來擾亂電壓，當干擾消除時，電路就會恢復到穩定值。

 

DRAM ： 動態RAM。

 

SDRAM ： 同步DRAM。

 

DDR SDRAM （Double Data-Rate Synchronous DRAM） ：雙倍資料速率同步 DRAM。

 

DDR2 ： 不同型別的DDR SDRAM。

 

DDR3 ： 不同型別的DDR SDRAM。

 

RAM 斷電時將丟失其儲存內容，故主要用於儲存短時間使用的程式。現在手機中的RAM一般是由LPDDR擔當，尤其是速度快功耗低的LPDDR4X在市面上的旗艦手機中佔比較大，宏旺半導體今年也推出了LPDDR4X 8GB，滿足市場應用所需，廣泛應用於手機、平板、超薄筆記本等領域。

 

只讀儲存器：ROM

 

計算機儲存器在其上資料已被預先記錄。一旦將資料寫入ROM 晶片，就無法將其刪除，只能讀取。與主儲存器（RAM）不同，即使計算機關閉，ROM也會保留其內容。ROM被稱為非易失性，現在有很多非易失性儲存器。由於歷史原因，雖然ROM中有的型別可以讀也可以寫，但是整體上都被稱為只讀儲存器（Read Only Memory）。ROM是以它們能夠被重新程式設計（寫）的次數和對它們進行重程式設計所用的機制來區分的。

 

PROM （Programmable ROM）：可程式設計ROM，只能被程式設計一次。

 

EPROM （Erasable Programmable ROM，EPROM）：可擦寫可程式設計ROM，擦寫可達1000次。

 

EEPROM （Electrically Erasable Programmable ROM）電子可擦除EPROM。

 

快閃記憶體 （flash memmory）：基於EEPROM，它已經成為一種重要的儲存技術。固態硬碟（SSD）隨身碟等就是一種基於快閃記憶體的儲存器。

 

nor flash  ：NOR Flash的讀取和我們常見的SDRAM的讀取是一樣，使用者可以直接執行裝載在NOR FLASH裡面的程式碼，這樣可以減少SRAM的容量從而節約了成本。

 

nand falsh ：NAND Flash沒有采取記憶體的隨機讀取技術，它的讀取是以一次讀取一塊的形式來進行的，通常是一次讀取512個位元組，採用這種技術的Flash比較廉價。使用者不能直接執行NAND Flash上的程式碼，因此好多使用NAND Flash的開發板除了使用NAND Flah以外，還作上了一塊小的NOR Flash來執行啟動程式碼。

 

 

希望這篇文章能給大家帶來幫助，更系統地瞭解儲存器，有任何有疑問的地方都可以來找宏旺半導體，歡迎關注哦~