4D NAND 也來了！宏旺半導體告訴你與3D NAND有什麼區別？

在5G手機的帶動之下，產業逐漸復甦，128層堆疊的4D NAND Flash也即將量產。隨著SSD的普及，NAND這個詞逐漸進入使用者們的視線，許多商家會在產品宣傳中提到4D NAND、3D NAND等詞彙，但對於新手小白來說，也許還不知道這些究竟代表著什麼意思。今天，宏旺半導體就來跟大家科普什麼是3D NAND、4D NAND，有什麼區別。

 

 

要了解這些含義，首先要知道什麼是NAND。宏旺半導體之前提到過，儲存可以分為就是易失性儲存和非易失性儲存，非易失性儲存在斷電的情況下資料不會丟失，會保持長期的儲存，因而NAND屬於非易失性快閃記憶體儲存器，通常用來製造SSD儲存資料。

 

隨著人們需求的不斷增加，受到有限寬度和長度尺寸內容納儲存器單元的限制。2D NAND容量已達到其開發的極限，利用2D NAND很難在SSD容量方面上繼續增加。於是，3D NAND應運而生。3D NAND可帶來更好的效能，更低的成本以及更高的密度。

 

 

據宏旺半導體瞭解，3D NAND指的是快閃記憶體晶片的儲存單元是 3D 的。此前的快閃記憶體多屬於平面快閃記憶體 (Planar NAND)，而3D NAND，顧名思義，即是指立體結構的快閃記憶體。如果平面快閃記憶體是平房，那 3D NAND 就是高樓大廈。把儲存單元立體化，意味著每個儲存單元的單位面積可以大幅下降。

 

目前市場上已經有15TB及以上的3D NAND SSD，正在開發的SSD儲存容量甚至能夠高達6PB。但這這麼大容量的SSD很昂貴，因為它們不僅需要純粹的容量，還需要智慧控制器和快速的效能，但3D NAND SSD還是有很多大容量業務場景使用者需求的。也正因為3D NAND的技術，使得部分採用相應技術的TLC產品達到了MLC的效能，就是我們常說的3D TLC。

 

但3D NAND也有著自己的劣勢，隨著先進的工藝帶來的更大的容量，3D NAND的可靠性和穩定性以及效能方面都在下降，因為工藝越先進，NAND的氧化層越薄，其可靠性也就越差，廠商就需要採取額外手段彌補這一問題，這必然會提高成本。

 

那即將出貨的4D NAND 跟3D NAND有什麼區別嗎？其實，據宏旺半導體瞭解，本質上還是3D NAND Flash，只不過單晶片採用4層架構設計，結合了3D CTF (電荷捕獲快閃記憶體) 設計、PUC (Peri. Under Cell) 技術，PUC是指製造NAND Flash時先形成周邊區域再堆疊晶體，有助於縮小晶片面積。所以，取名4D NAND Flash似乎只是為了比較好營銷。

 

今天的科普文就分析到這裡，歡迎關注國產品牌宏旺半導體ICMAX，宏旺半導體在儲存行業有十五年的經驗，產品型號包含了eMMC、eMCP、UFS、UMCP、SPI、DDR、LPDDR、SSD、記憶體、TF卡等，應用於手持移動終端、消費類電子產品、電腦及周邊、辦公、汽車電子及工業控制等裝置的各個領域。大家有關儲存不懂的問題都可以來問，ICMAX會第一時間回覆的。