Everspin MRAM替換FRAM

FRAM架構採用鐵電材料作為儲存器件，這些材料具有一個固有的電偶極子，該偶極子在外部電場的作用下轉換為相反的極性。  中的讀取操作具有破壞性，因為它需要切換極化狀態才能感知其狀態。在初次讀取後，讀取操作必須將極化恢復到其原始狀態，這會增加讀取操作的週期時間。寫週期需要一個初始的“預充電”時間，這可能會增加初始訪問時間。環境溫度高於85°C，由於自由電荷的積累導致FRAM磨損，從而導致影響10年的資料保留。
 
將提供最具成本效益的非易失性RAM解決方案。MRAM使用更簡單的1電晶體，1磁性隧道結單元構建。簡單的Everspin MRAM單元可提高製造效率並提高可靠性.MRAM使用磁隧道結技術進行非易失性儲存。高溫下資料不會洩漏，並且沒有磨損機制來限制讀，寫的次數撥動式MRAM可靠性的另一個重要方面是保持資料免受熱磁化翻轉引起的錯誤的影響。進行了加速烘烤測試，在150°C下的2000 h至260°C下的2h的條件下烘烤了三批中的1500個代表性4-Mb零件，並且所有零件的資料保留翻轉均為零。外推回工作溫度表明資料保留壽命超過20年。由於磁性材料固有的堅固耐用性，MRAM還具有抗輻射效能。
 
Everspin Technologies的SPI MRAM在磁場環境中操作時對資料損壞的敏感性較低，因此可以幫助工程師設計高抗磁能力的可靠系統。最大情況。可用於SPI MRAM的外部磁場為12000 A / m（150高斯），在寫，讀和待機操作期間。 Everspin Technologies提供了有關如何在其中操作 的具體指南。