MRAM獨特功能替換現有記憶體

在所有常年興起的記憶中， 似乎最有可能瀕臨大規模，廣泛採用。這是否會很快發生取決於製造的進步和支援分立和嵌入式MRAM器件技術的生態系統。

MRAM以及PCRAM和ReRAM已經達到了一個臨界點，在更多應用中它比以往任何時候都有意義。然而，從工藝和材料角度來看，它的確面臨著一系列製造挑戰，因為它使用的材料和工藝與傳統CMOS製造不同。

目前MRAM是在單獨的工廠中作為[線的後端]（BEOL）工藝製造的。需要傳統的CMOS製造中不使用的新裝置，例如離子束蝕刻和新的濺射靶。為了降低嵌入式MRAM產品的成本，製造需要進入CMOS晶圓廠，併成為常規裝置製造的一部分。

除了將MRAM進一步整合到製造鏈中之外，與其他半導體制造工藝一樣，質量控制和良率提高將是一個持續的挑戰和機遇，而且事實是所有大型半導體代工廠都已將MRAM儲存器作為一種選擇。嵌入式產品意義重大。透過將MRAM整合到其嵌入式產品中，並將MRAM大量應用於常規裝置製造中，將解決產量和質量問題，並且用於MRAM生產的獨特工具將變得更加普遍，並將更多地嵌入到代工生產中。這將降低成本並提高可用性。

Applied Materials專門解決MRAM所特有的挑戰，包括對新型材料的需求。它已將Endura平臺從單一處理系統發展為整合處理系統，並將其作為包括MRAM在內的新興儲存器的材料工程基礎的一部分。

MRAM的最大製造挑戰與堆疊的複雜性和所需的層數（超過30層）有關。之所以如此複雜，是因為這些層有多種用途。從根本上說，MRAM基本上由狹小的磁鐵組成，因此需要能夠保持一定方向（包括底部參考層）不受任何外部磁場影響的磁性材料。

該堆疊還有很多實質性方面，有幾層用作阻擋層或種子層，然後是製造隧道結所固有的非常薄的MgO層，這是MRAM堆疊的核心。由於這個障礙非常薄，因此存在容易被破壞的風險。它需要許多層，許多材料的能力。需要具有這樣的精度，以便可以準確沉積正確的厚度。

因為沉積質量對MRAM器件本身的效能至關重要，而且總的來說，代工廠已經建立了工具集。使MRAM投入生產。這有助於建立一個環境，使公司可以開始專門設計用於人工智慧和物聯網（IoT）應用程式的MRAM裝置，而永續性，電源門控和電源管理至關重要。 MRAM在此具有一些獨特的功能。

它的功能可能導致MRAM替換現有的記憶體（例如 ）或一起建立新的用例。尋求使MRAM儘可能類似於SRAM，因為它提供了相同的價值主張，但在相同的佔用空間內具有三到四倍的記憶體，而不會帶來SRAM帶來的任何洩漏。儘管持續提煉材料很重要，但自旋儲存器正在採用一種適用於任何磁性隧道結的電路級方法，這使其能夠在耐久性方面提高多個數量級，從而提高了效能。 

Everspin Technologies 是設計製造離散和嵌入式MRAM和自旋傳遞扭矩MRAM（STT-MRAM）的全球領導者，其市場和應用領域涉及資料永續性和完整性，低延遲和安全性至關重要。 在資料中心，雲端儲存，能源，工業，汽車和運輸市場中部署了超過1.2億個MRAM和STT-MRAM產品，為全球MRAM使用者奠定了最強大，增長最快的基礎。Everspin代理宇芯電子為使用者提供產品技術指導以及解決方案等產品服務。