SDRAM記憶體條時序特點

SDRAM儲存器讀寫速度較高，其單位容量的功耗較低，廣泛應用在許多工程專案中，特別在雷達、影像處理等需要高速度、大容量的資料儲存領域， SDRAM儲存器 有著廣泛的應用價值。而單片SDRAM儲存器一般是直接焊接在電路板上，而且引腳較多、一旦遇上SDRAM儲存器工作故障，更換晶片比較麻煩，並且當需要擴充容量時修改電路也不方便。計算機上廣泛應用的記憶體條具有速度高、容量大、介面標準、擴充套件方便等優點。在大容量,高速資料儲存的領域,應用SDRAM記憶體條代替一般的單片SDRAM儲存器，給實際電路的更改和儲存容量的擴充套件帶來了極大的方便。本篇文章宇芯電子儲存晶片供應商主要介紹關於SDRAM記憶體條時序特點。
 
SDRAM記憶體條時序特點
 
SDRAM記憶體條的工作模式對時序要求嚴格，只有上電邏輯和模式設定正確才能進入相應的工作模式。訪問特定邏輯單元必須先啟用相應的儲存塊(BANK)，並鎖定對應行、列地址。另外必須有定時的重新整理邏輯保持資料不丟失。SDRAM記憶體條的控制由一些專用控制引腳和地址線輔助完成CS/RASICAS/WR在時鐘上升沿的狀態決定具體操作動作，地址線和BANK選擇控制線在部分操作動作中作為輔助引數輸入。
 
1.1 上電邏輯和模式設定
記憶體條所有電源引腳必須同時加電，並且所有輸入和電源引腳上電電壓不得超過標稱值0.3V。加電完成後應立即對所有BANK進行預充電，然後等待20Ous以避免輸出匯流排上的資料衝突，等待期間要求DQM和CKE保持高電平。等待20Ous以後需要發出模式暫存器設定(MRS)命令以初始化模式暫存器，並附加八個自動重新整理週期(CBR)以保證後續操作正常。模式暫存器設定命令使用地線和BANK選擇作為模式資料輸入線。其中AA,Ao為BURST長度，A為定址模式，AAsA編碼為CL值，A為寫模式。模式暫存器的設定值必須與器件的延遲引數以及與讀寫操作的控制時序--致,否則將導致錯誤或不可靠的讀寫。
 
1.2儲存單元訪問
SDRAM記憶體條採用地址線複用而減少I/O引腳數量。BANK啟用週期鎖定行地址，讀寫操作命令發出時，鎖定列地址。任意讀寫操作前都必須有BANK啟用命令，BANK啟用命令啟用相應BANK並鎖存行地址，BANK啟用命令到後續讀寫的延遲必須不小於tRCD。同時一旦BANK被啟用後只有執行一次預充命令後才能再次啟用同一BANK。兩次啟用的間隔不小於tRC。每次啟用後BANK保持啟用狀態的最長時間由指標tRAS(max)決定。
 
1.3重新整理邏輯和預充
SDRAM記憶體條的儲存單元相當於一-個電容，必須有定時的重新整理週期以避免資料丟失，重新整理控制器決定重新整理的時間間隔，重新整理計數器保證每個單元都能被重新整理。當然這意味著SDRAM記憶體條的部分週期必須分配給重新整理操作而降低系統效能，SDRAM記憶體條可以採用自動重新整理或自重新整理，自動重新整理實現較為簡單而自重新整理功耗更小。預充對BANK 預充電或者關閉已啟用的BANK，當CS、RAS和WE為低而CAS為高時為預充命令， SDRAM記憶體條 既可分別預充特定BANK也可同時作用於所有BANK，A10、BS0和BS1用於選擇BANK。