MRAM與常用計算機記憶體的效能比較

宇芯電子發表於2020-09-07

新千年資訊怎樣儲存?又需要如何傳輸?MRAM晶片是磁阻隨機存取儲存器。1989年巨磁阻現像的發現及隨後幾年巨磁阻材料的開發,直至巨磁阻磁頭GMR的製成與應用都為 儲存器研究開發奠定了基礎。
 
1995年美國國防部高階研究計劃署)為IBM、摩托羅拉及好萊塢等三家大企業提供基金進行高密、高速低耗MRAM晶片的開發,其技術指標及產品目標要求如下:
 
技術指標:
具有 的隨機存取速率;
具有DRAM晶片的大容量儲存密度;
具有EEPROM晶片存入資料的非易失性。
 
產品目標:
取代計算機的DRAM記憶體,
取代手機的EEPROM快閃記憶體。
 
表1列出MRAM晶片與目前常用的幾種計算機記憶體SRAM、DRAM及快閃記憶體的效能比較。

 

表1SRAM、DRAM、EEPROM 及 MRAM的效能比較

 
由上述表中的四種記憶體只有MRAM能同時滿足計算機記憶體的四項要求:非易失性、隨機存取速率高、資料儲存密度高以及耗電功率低等。因此美、日、歐等已開發國家都很重視這項新技術,投巨資加速MRAM產品的商業化。

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