STT結構渦輪增壓MRAM

新興 市場的主要參與者之一已經開發了專有技術，該技術表示將透過增加保持力並同時降低電流來增強任何MRAM陣列的效能。
 
自旋轉移技術（STT）的進動自旋電流（PSC）結構，它有潛力提高MRAM的密度和零洩漏能力。該結構可以應用於移動，資料中心CPU和儲存，汽車，物聯網和（IoT）以及人工智慧等領域。
 
PSC結構將使任何MRAM器件的自旋扭矩效率提高40％至70％。這意味著它不僅具有更高的資料保留能力，而且將消耗更少的電量。Pinarbasi說，增益轉化為保留時間延長了10,000倍以上，因此一小時變成一年以上，但是寫入電流卻減少了。此外，隨著垂直磁隧道結（pMTJ）變小，PSC的效率更高。開發的結構是模組化結構，實際上是PMTJ裝置的擴充套件。

 
其進動自旋電流結構可將任何MRAM器件的自旋扭矩效率提高40％至70％。
 
從一開始就設計了這種模組化的方法。這意味著可以將PSC新增到其他任何人的pMTJ中。可以將其視為現有MRAM實現的渦輪增壓器。
 
PSC結構被設計成可以整合到任何MRAM製造商的現有工藝中。除了在 生產中已經使用的材料或工具外，沒有其他材料或工具，因此該結構實際上不會增加鑄造廠的複雜性或成本。在PSC結構中，有兩個特定的作用正在起作用。一個是靜態的，另一個是動態的。靜電效應可以大大提高裝置的保持力。
 
動態效應會從零切換到一，反之亦然，這很重要，因為靜態保持力和電流之間始終存在相關性。將這兩種影響分開了。可以獨立地提高保留率，同時降低電流。
 
儘管PSC結構使STT-MRAM能夠解決SRAM的尺寸和成本缺陷，以及DRAM的易變性和功耗複雜性，但STT不僅將支援PSC的MRAM視為現有儲存技術的替代品，還可以使用它。 這為物聯網，汽車和AI帶來了新的機遇。

 
對於給定電流，PSC結構可提供顯著的速度增益。當使用4Kbit晶片和40nm器件尺寸時，在125μA時，PSC速度為〜4 ns，而pMTJ速度為〜30ns。
 
總體而言，將會有針對MRAM開發的本地市場，特別是嵌入式應用程式，並且已經取代了可能是SRAM或裝置內部不同記憶體快取的產品。由於這些裝置及其非易失性儲存功能，市場份額將發生變化，但新的市場發展也將發生。
 
雖然MRAM已經確立了自己在儲存器裝置未來的重要地位，但它仍處於初期階段，MRAM仍主要用於利基應用中。時間將證明Spin Transfer的PSC結構將產生多大影響。絕對有必要製造出比傳統MRAM產品更緊湊的結構，並且可以進一步擴充套件。必須徹底解決問題，看看它在實踐中如何工作。
 
將有很多MRAM產品可用，尤其是隨著代工廠和主要的半導體公司的興起，並將重點放在嵌入式市場上。人們將尋求差異化，以便使他們尋找減輕他們可以在這些產品中使用的技術的方法，從而使自己與其他人的產品區分開。在這種環境中存在一些潛在的近期機會。展望五年，MRAM將是一個更大的利基市場。
 
Everspin是設計製造和商業銷售離散和嵌入式磁阻RAM（MRAM）和自旋傳遞扭矩MRAM（STT-MRAM）的全球領導者，其市場和應用領域涉及資料永續性和完整性，低延遲和安全性至關重要。 在資料中心，雲端儲存，能源，工業，汽車和運輸市場中部署了超過1.2億個MRAM和STT-MRAM產品，為全球MRAM使用者奠定了最強大，增長最快的基礎。Everspin代理商宇芯電子可提供專業的技術支援及產品應用解決方案。