鐵電RAM為何比序列SRAM更好

對於特定的產品設計，關於鐵電RAM為何比序列SRAM更好，有幾個原因值得一提。以下各節將介紹其中的一些注意事項。
 
優越的頻率和頻寬
傳統和ULE FRAM都比 支援更高的SPI時脈頻率。ULE FRAM支援DDR模式，從而充分利用了低引腳輸出MCU。 ULE FRAM的頻寬是當前可用序列SRAM的五倍。
 
ECC資料保護
所有FRAM陣列均受ECC保護，並提供了附加的控制暫存器來監視ECC錯誤。 SRAM沒有此功能。結果SRAM可能會遭受損壞事件，而FRAM會檢測到並糾正這些事件。
 
降低功率
在所有工作條件下，傳統和ULE的FRAM都比序列SRAM消耗更少的有功功率。如果產品以記憶體的有功功率為主導，則FRAM的功耗會更低。
 
如果設計以空閒功率為主導，則序列SRAM的待機功耗會略低，但是ULE FRAM會實現更低的其他功耗模式。必須更改軟體才能進入這些低功耗狀態，但是如果使用這些狀態，則ULE FRAM的空閒功耗可能比序列SRAM低10倍。
 
符合RoHS的非揮發性
非易失性是FRAM固有的，但是必須為序列SRAM提供電源才能實現這一點。這可能意味著新增電池，這可能違反RoHS要求，或成為設計中的替換問題。
 
易於使用的命令選項
ULE FRAM具有比 更豐富的命令集，這些功能可用於提供更輕鬆的實現。這些注意事項包括：
•可以使用其他模式進行傳輸，例如單位命令，但是可以進行多位資料傳輸
•能夠對儲存陣列的某些部分進行防寫。
•序列號識別
這些規定在序列SRAM中均不可用。
 
我們已經習慣了SRAM的功能及其為當今產品提供的好處。但是事實證明，還有另一種技術可以執行相同的操作，在許多情況下會更好。預先考慮一下， 與序列SRAM可以用來互相代替，在許多情況下，可以提供更好的效能，更低的功耗以及更可靠的資料儲存環境。