SRAM的基礎模組存有三種情況

SRAM是隨機存取儲存器的一種。“靜態”是指這種儲存器只要保持通電，裡面儲存的資料就可以恆常保持。 不需要重新整理電路即能儲存它內部儲存的資料。SRAM功耗取決於它的訪問頻率。如果用高頻率訪問SRAM，其功耗比DRAM大得多。有的SRAM在全頻寬時功耗達到幾個瓦特量級。另一方面，SRAM如果用於溫和的時脈頻率的微處理器，其功耗將非常小，在空閒狀態時功耗可以忽略不計—幾個微瓦特級別。本篇內容要介紹的是關於SRAM的基礎模組存有三種情況：standby（空餘），read（讀）和write（寫）。
 
第一種情況：standby
假如WL沒有選為上拉電阻，那麼M5和M62個做為操縱用的晶體三極體處在短路情況，也就是基礎模組與基準線BL防護。而M1-M4構成的2個反相器持續保持其情況。

 
第二種情況：read
最先，假定儲存的內容為1，也就是Q處為上拉電阻。讀週期時間原始，二根基準線BL,BL#預線上充值為上拉電阻，由於讀寫能力情況時，WL也會為上拉電阻，促使讓做為自動開關的2個晶體三極體M5,M6通斷。
 
隨後，讓Q的值傳送給基準線BL只到預充的電位差，另外洩排掉BL#預充的電。從總體上，運用M1和M5的通道立即連到低電頻使其數值低電頻，即BL#為低；另一方面，在BL一側，M4和M6通斷，把BL立即拉昇。

 
第三種情況：write
寫週期時間剛開始，最先把要載入的情況載入及時線BL，假定要載入0，那麼就設定BL為0且BL#為1。隨後，WL設定為上拉電阻，這般，基準線的情況就被載入 的基礎模組了。深入分析全過程，能夠自身畫一下。