10N65-ASEMI場效電晶體10N65

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10N65 在 TO-220F 封裝裡 的 柵極閾值電壓(VGS) 為 30V ，是一款 高速大電流 MOS 管 。 10N65 的浪湧電流Ifsm 為 40 A ，零柵極電壓漏極電流 (IDSS) 為 10uA ，其工作時耐溫度範圍為 - 55 ~1 50 攝氏度。 10N65 的 功耗 (PD) 是 65W ，靜態漏源導通電阻(RDS(ON)) 為 0.8Ω 。 10N65 的電性引數是：正向電流(Io) 為 10 A ，反向耐壓為 650 V ，反向恢復時間 (Trr) 為 320NS ，其中有 4 條引線。

 

10N65 引數描述

型號： 10N65

封裝： TO-220F

特性： 高速大電流 MOS 管

電性引數： 10 A 65 0V

柵極閾值電壓 (VGS) ： 30V

正向電流 (Io) ： 10 A

功耗 (PD) ： 65W

靜態漏源導通電阻 (RDS(ON)) ： 0.8 Ω

浪湧電流 Ifsm ： 40 A

零柵極電壓漏極電流 (IDSS) ： 10u A

反向恢復時間 (Trr) ： 320NS

工作溫度： -55~+1 50 ℃

引線數量： 3

 

10N65 場效電晶體 封裝系列。它的本體 長 度為 15.87 mm ， 加引腳長度為 28.8mm ，寬 度為 10.16 mm ，高度為 4.7 mm ， 腳間距為 2.54mm 。