常見MOS管型號
貼片MOS場效電晶體，因其價格低、體積小、驅動電流大，現已廣泛用於各種開關電源、逆變器、鋰電池保護板及低壓LED驅動器中。本文介紹一些目前最常用的貼片SOT-23封裝的MOS場效電晶體的主要引數及絲印，供大家在維修、代換時參考。
1、AO3400，N溝道MOS場效電晶體，PD＝1.4W，VDS＝30V，ID＝5.8A。導通電阻Rds＜33mΩ（VGS＝4.5V）。
2、AO3401，P溝道MOS場效電晶體，PD＝1.4W，VDS＝-30V，ID＝-4.2A，Rds＜65mΩ（VGS＝-4.5V）。
3、AO3404，N溝道MOS場效電晶體，PD＝1.4W，VDS＝30V，ID＝5.8A，Rds＜43mΩ（VGS＝4.5V）。
4、AO3407，P溝道MOS場效電晶體，PD＝1.4W，VDS＝-30V，ID＝-4.1A，Rds＜87mΩ（VGS＝-4.5V）。
5、AO3415，P溝道MOS場效電晶體，PD＝1.4W，VDS＝-20V，ID＝-4A，Rds＜43mΩ（VGS＝-4.5V）。
6、SI2300，N溝道MOS場效電晶體，PD＝1.25W，VDS＝20V，ID＝3.8A，Rds＝32mΩ（VGS＝4.5V）。注意：SOT-23封裝的SI2300的絲印有兩種，分別是2300和A0SHB。
7、SI2301，P溝道MOS場效電晶體，PD＝0.9W，VDS＝-20V，ID＝-2.3A，Rds＝93mΩ（VGS＝-4.5V）。
8、SI2302，N溝道MOS場效電晶體，PD＝0.71W，VDS＝20V，ID＝2.6A，Rds＝45mΩ（VGS＝4.5V）。
9、SI2303，P溝道MOS場效電晶體， PD＝2.3W（max），VDS＝-30V， ID＝-2.7A。
10、SI2305，P溝道MOS場效電晶體，PD＝2.3W，VDS＝-8V（注意：該型號的耐壓值不高），ID＝-2.7A。
11、SI2306，N溝道MOS場效電晶體，PD＝0.75W，VDS＝30V，ID＝3.5A。
12、2SK3018，N溝道MOS場效電晶體，PD＝0.35W，VDS＝30V，ID＝0.1A。
13、20N03，N溝道MOS場效電晶體， SOT-89封裝，VDS＝30V，ID＝20A。
14、2N7002，N溝道MOS場效電晶體， PD＝0.5W，VDS＝60V，ID＝0.115A。Rds＝5.3Ω（VGS＝4.5V）。 注意：
貼片MOS場效電晶體應用必知基礎知識
①、MOS場效電晶體的導通電阻Rds是一個很重要的引數。一般MOS管的耐壓值VDS越高，Rds越大；若VDS相近，則管子的ID越大，Rds越小。譬如，上面圖中的AO3400的ID＝5.8A，其Rds＜33mΩ（毫歐），而2N7002的ID僅0.115A，其Rds達5.3Ω。
同一個MOS管，其柵源電壓VGS不同，管子的Rds亦不同。VGS越高，管子的Rds越小。上面圖中的Rds皆為VGS＝4.5V時的阻值。故使用MOS場效電晶體時，要求要有足夠幅度的柵源電壓VGS，以使管子的Rds儘可能的小。
舉例說明，假定某個SOT-23封裝的MOS管的PD＝1.2W，若其Rds為1Ω（在VGS較小時，Rds很容易達到1Ω以上），那麼在驅動一個1A的負載時，該管的管耗即為1Ax1V＝1W，此時，管子發熱較厲害。假定管子的驅動電壓VGS足夠大，使其Rds降至0.1Ω，那麼在驅動1A負載時，管耗僅有0.1W，此時就不需要考慮發熱問題。
②、現在生產的MOS場效電晶體的柵源兩極間都帶有保護二極體，故在焊接時，不必如履薄冰，擔心被靜電擊穿（三四十年前生產的MOS管，由於工藝問題，使用不當很容易損壞）。
MOS管替換案例分析: CJ2302是否可以用CJ3400替代使用？
CJ2302:
CJ3400
如上圖所示：因為CJ2302的擊穿電壓與集電極最大允許電流為20V/2.1A，均小於CJ3400，所以：CJ2302可以用CJ3400替代，但是CJ3400不可以用CJ2302替代。
綜上所述，當在使用其他型號MOS管替換時，更需要先判斷三個極，再看是P溝道還是N溝道，最後還是看電壓與電流是否在允許範圍內。