ASEMI場效電晶體7N60的極限和靜態引數詳解

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7N60 極限引數 ：

 

（ 1 ） IDSM ，最大漏源電流，是指場效電晶體 7N60 正常工作時，漏源之間允許透過的最大電流。 場效電晶體 的工作電流不應超過ID 。該引數會隨著結溫的升高而降額；

（ 2 ） IDM ，最大脈衝漏源電流， 7N60 這個引數會隨著結溫的升高而降額；

（ 3 ） PDSM ，最大耗散功率，是指 7N60 效能不惡化時允許的最大漏源耗散功率。使用時，場效電晶體的實際功耗應小於 PDSM ，並有一定的餘量。該引數通常會隨著結溫的升高而降低；

（ 4 ） VGS ，最大柵源電壓，當柵源之間的反向電流開始急劇增加時的電壓值。結型 MOS 管正常工作時，柵極和源極之間的 PN 結處於反偏狀態 ， 電流過大，會發生擊穿；

（ 5 ） Tj ，最高工作結溫，通常為 150℃ 或 175℃ ，在器件設計的工作條件下，必須避免超過此溫度，並應保留一定的餘量；

（ 6 ） TSTG ，儲存溫度範圍。

 

7N60 除上述引數外，還有電極間電容（ MOS 管三個電極之間的電容，數值越小管子的效能越好）、高頻引數等引數。

 

7N60 靜態引數 ：

 

（ 1 ） V(BR)DSS ，漏源擊穿電壓，是指當柵源電壓 VGS 為 0 時，場效電晶體 7N60 所能承受的最大漏源電壓。這是一個極限引數，工作電壓施加到 FET 必須小於 V(BR) DSS 。它具有正溫度特性。因此，該引數在低溫下的值應作為安全考慮。

（ 2 ） RDS(on) ，在特定的 VGS （通常為 10V ）、結溫和漏極電流的條件下， MOS 管 7N60 導通時漏極和源極之間的最大電阻。 這 是一個非常重要的引數，決定了MOS 管 7N60 開啟時的功耗。該引數通常隨著結溫的增加而增加。因此，該引數在最高工作結溫下的值應作為損耗和壓降計算；

（ 3 ） VGS(th) ，開啟電壓（閾值電壓）。當施加的柵極控制電壓 VGS 超過 VGS(th) 時，漏極區和源極區的表面反型層形成連通溝道。在應用中，在漏極短 接 的情況下，ID 等於 1mA 時的柵極電壓通常稱為導通電壓。這個引數一般會隨著結溫的升高而降低；

（ 4 ） IDSS ，飽和漏源電流，柵極電壓 VGS=0 且 VDS 為一定值時的漏源電流，一般為微安級。由於 MOS 管的輸入阻抗較大， IGSS 一般在納安級。