三星已領先臺積電開始批量生產6奈米晶片

據韓國媒體 businesskorea 最新訊息，三星電子已經開始大規模生產基於極紫外(EUV)技術的 6 奈米晶片。自該公司開始大規模生產 7 奈米產品以來，僅 8 個月就推出了 6 奈米產品。三星升級微加工工藝技術的週期正在縮短。特別是，向 6 奈米 EUV 工藝的過渡，預計將縮小三星與全球最大晶片製造商臺灣台積電(TSMC)之間的差距。

去年 12 月，三星電子(Samsung Electronics)在京畿道華城校區 S3 線開始批量生產基於 EUV 技術的 6 奈米產品。“據我所知，6 奈米制程的產品是提供給北美的大型企業客戶的” 三星合作公司的一位官員表示。行業觀察人士認為，三星的 6 奈米產品應該是供應給高通公司。

此前，三星電子在去年 4 月向全球客戶提供了 7 奈米產品。僅用了 8 個月就生產出了 6 奈米的產品。與 7 奈米產品相比，6 奈米產品提供了更好的半導體邏輯尺寸、功率和效能。

三星電子(Samsung Electronics)開始大規模生產6-nm 製程產品，對臺積電構成了壓力。全球市場研究公司 TrendForce 表示，去年第四季度，臺積電佔全球代工市場的 52.7%，與三星電子(Samsung Electronics) 17.8% 的市場份額差距進一步擴大。

三星未能趕超臺積電的主要原因是三星在 16 奈米和 12 奈米工藝之後開發 7 奈米工藝的時間較晚。臺積電通過其 7 奈米技術，壟斷了蘋果（最大的無晶圓廠客戶）的 AP 供應。

相比之下，三星電子(Samsung Electronics)在 2014 年首次商業化了 14 奈米鰭場效應電晶體(FinFET)工藝，但在 7 奈米工藝開發方面輸給了臺積電(TSMC)。目前，7 奈米產品只佔三星銷售額的一小部分。為了解決這個問題，星正在加緊努力以縮短 7nm 以下微加工工藝的開發週期。

繼大量生產 6 奈米產品之後，三星電子計劃在今年上半年推出 5 奈米產品。此外，三星電子有在今年上半年採用正在研發中的最新 3 奈米全柵極（GAA）工藝技術來製造尖端晶片的計劃。GAA 被認為是當前 FinFET 技術的升級版，能確保晶片製造商進一步縮小晶片體積。

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